Асеев А.Л., 1946 г. рождения, доктор физико-математических наук, специалист в области физики и кристаллографии полупроводниковых систем пониженной размерности, автор и соавтор более 120 научных работ, в том числе одной монографии.
Основным направлением научной деятельности Асеева А.Л. является изучение атомных механизмов формирования полупроводниковых систем пониженной размерности. За время работы в Институте им выполнены работы по изучению механизмов формирования дислокационной структуры эпитаксиальных слоев полупроводников; структурных перестроек в кремнии и германии при большой скорости генерации точечных дефектов; атомных процессов на чистой поверхности кремния. Асеевым А.Л. получены принципиально новые данные о роли метастабильных конфигураций точечных дефектов в реакциях взаимодействия в кристаллах кремния и германия; впервые обнаружены обратимые переходы системы регулярно расположенных моноатомных ступеней в систему эшелонов ступеней и эффекты кластерирования моноатомных ступеней при росте сверхструктурных доменов на поверхности кристаллов кремния; исследованы элементарные акты процессов эпитаксиального роста на кремнии.
Под руководством Асеева А.Л. в Институте создан комплекс современных электронно-оптических методов получения, исследования и характеризации полупроводниковых систем, который используется для изготовления полупроводниковых микро- и наноструктур с квантовыми свойствами. В результате этих работ создан квазибаллистический электронный интерферометр в двумерном электронном газе на гетеропереходе GaAs/AlGaAs с рекордным значением амплитуды осцилляций проводимости, обусловленных эффектом Ааронова-Бома; реализованы структуры для наблюдения эффектов кулоновской блокады при повышенной температуре. При активном участии Асеева А.Л. в Институте ведутся работы по материаловедению кремния, направленные на получение высокосовершенных кристаллов кремния большого диаметра.
Под руководством Асеева А.Л. защищены две кандидатских диссертации и при его консультативной помощи подготовлена докторская диссертация. Им разработан курс "Структура поверхности и границ раздела", который был представлен в Висконсинском Университете (США) в течение осеннего семестра 1996 г.
Асеев А.Л. имеет опыт научно-организационной работы, с 1986 г. -- заведующий лабораторией, с 1994 г. -- и.о. заместителя директора по научной работе Института физики полупроводников СО РАН, является членом Научного совета РАН по физико-химическим основам полупроводникового материаловедения и Научного совета РАН по электронной микроскопии, редколлегии журнала "Crystal Research and Technology" (Берлин), директором Западно-Сибирского центра электронной микроскопии, членом Совета Международного центра по материаловедению и электронной микроскопии (г. Галле, Германия), заместителем председателя Сибирской ассоциации материаловедов.
Асеев А.Л. был выдвинут кандидатом на должность директора Института физики полупроводников в составе ОИФП СО РАН Ученым советом Института.
Кандидатура Асеева А.Л. была поддержана на конференции научных сотрудников Института (за -- 78, пр. -- 5, н.б. -- 2).
