Печатная версия
Архив / Поиск

Archives
Archives
Archiv

Редакция
и контакты

К 50-летию СО РАН
Фотогалерея
Приложения
Научные СМИ
Портал СО РАН

© «Наука в Сибири», 2019

Сайт разработан и поддерживается
Институтом вычислительных
технологий СО РАН

При перепечатке материалов
или использованиии
опубликованной
в «НВС» информации
ссылка на газету обязательна

Наука в Сибири Выходит с 4 июля 1961 г.
On-line версия: www.sbras.info | Новости | Архив c 1961 по текущий год (в формате pdf), упорядоченный по годам
 
в оглавлениеN 30-31 (2266-2267) 4 августа 2000 г.

Президиум Сибирского отделения Российской академии наук с прискорбием сообщает о кончине на 81 году жизни выдающегося ученого, организатора и почетного директора Института физики полупроводников Сибирского отделения РАН, советника РАН, бывшего заместителя председателя СО РАН академика

Анатолия Васильевича РЖАНОВА.

От нас ушел человек, беззаветно служивший Родине на всех этапах его долгого и плодотворного жизненного пути. В декабре 1941 г. с отличием досрочно закончив Ленинградский политехнический институт им М.И.Калинина, он уже в январе 1942 г. уходит добровольцем на Ленинградский фронт. Командуя отрядом разведчиков морской пехоты на знаменитом Ораниенбаумовском пятачке и совершая дерзкие рейды в тыл врага, он заслужил первые, боевые награды Родины -- ордена Великой отечественной войны I и II степени. Тяжелое ранение в 1943 году, казалось, навсегда закроет для А.В.Ржанова путь в науку, однако он уже в 1948 году блестяще заканчивает аспирантуру Физического института им. Лебедева и начинает первые в СССР работы по созданию полупроводникового транзистора.

В 1962 году уже будучи известным в мире специалистом по полупроводниковой микроэлектронике и физике поверхности полупроводников А.В.Ржанов с группой сотрудников ФИАНа по приглашению академика М.А.Лаврентьева переезжает в новосибирский Академгородок, где организует Институт физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР, впоследствии Институт физики полупроводников СО РАН. За относительно короткое время им был создан творческий коллектив ученых и инженеров, способный решать серьезные фундаментальные и прикладные исследования. Много разработок Института было востребовано различными отраслями народного хозяйства. Достижения коллектива Института были отмечены пятью государственными премиями, премией Совета Министров СССР.

А.В.Ржанов пользовался большим авторитетом в научном сообществе. Он был членом бюро научного совета РАН по физике и химии полупроводников, главным редактором журнала "Микроэлектроника", председателем комиссии по элементной базе комитета АН СССР по вычислительной технике. Многие годы он представлял СССР в Международном союзе по вакуумным исследованиям.

Трудовая деятельность А.В.Ржанова и его заслуги перед отечественной наукой отмечены орденами Ленина, Трудового Красного Знамени, Октябрьской Революции, "За заслуги перед Отечеством" 4 степени.

Много времени А.В.Ржанов отдавал воспитанию научной молодежи. Основатель и долгие годы заведующий кафедрой физики полупроводников Новосибирского государственного университета, он воспитал учеников, ставших в настоящее время основой нынешнего коллектива института. Среди его учеников три члена-корреспондента РАН, много докторов и кандидатов наук.

Память об Анатолии Васильевиче Ржанове -- выдающемся ученом и замечательном человеке навсегда сохранится в его работах, в делах его товарищей и учеников, в сердцах всех, кто его знал.

Президиум СО РАН.

стр. 

в оглавление

Версия для печати  
(постоянный адрес статьи) 

http://www.sbras.ru/HBC/hbc.phtml?16+108+1