Печатная версия
Архив / Поиск

Archives
Archives
Archiv

Редакция
и контакты

К 50-летию СО РАН
Фотогалерея
Приложения
Научные СМИ
Портал СО РАН

© «Наука в Сибири», 2019

Сайт разработан и поддерживается
Институтом вычислительных
технологий СО РАН

При перепечатке материалов
или использованиии
опубликованной
в «НВС» информации
ссылка на газету обязательна

Наука в Сибири Выходит с 4 июля 1961 г.
On-line версия: www.sbras.info | Новости | Архив c 1961 по текущий год (в формате pdf), упорядоченный по годам
 
в оглавлениеN 30-31 (2266-2267) 4 августа 2000 г.

Академик
РЖАНОВ Анатолий Васильевич

25 июля 2000 года на 81 году жизни скончался выдающийся ученый, действительный член Российской Академии наук Анатолий Васильевич Ржанов.

Ушел из жизни крупнейший ученый в области физики полупроводников, основатель Института физики полупроводников Сибирского отделения РАН, почетным директором которого он был последние годы своей жизни.

С именем А.В.Ржанова связано открытие пьезоэффекта в поляризованных керамических образцах титаната бария, что определило широчайшее использование пьезоэффекта в различных технических областях, а также создание первого в СССР германиевого транзистора, что послужило начальным шагом в становлении полупроводниковой электроники и микроэлектроники как научного направления в нашей стране. Это направление исследований стало базовым для Института физики полупроводников СО РАН, который был создан А.В.Ржановым вместе с его учениками в 1962 году. Под руководством А.В.Ржанова Институт физики полупроводников стал ведущей академической организацией в области физики полупроводников с надежным фундаментом экспериментальных и теоретических разработок, выдвинувших ИФП СО РАН на передовой край науки.

Фундаментальные исследования поверхностных свойств германия и кремния и их границ раздела с диэлектрическими средами, а также структур металл--диэлектрик--полупроводник на основе различных полупроводниковых материалов привели к разработке целого ряда современных технологий, нашедших применение в полупроводниковой промышленности, а также матричных элементов памяти, не требующих энергии для ее хранения. В первую очередь, разработки Института использовались на полупроводниковых предприятиях Сибирского региона.

По инициативе А.В.Ржанова в Институте физики полупроводников был развит ряд новых научных направлений, в числе которых особое место заняло такое направление полупроводникового материаловедения, как молекулярно-лучевая эпитаксия полупроводников. Она послужила базой современных полупроводниковых приборов и устройств СВЧ электроники гигагерцового диапазона, матричных фотоприемников излучения от видимого до дальнего инфракрасного диапазона, а также приборов наноэлектроники на основе квантово-размерных структур.

Анатолий Васильевич Ржанов отличался высокой чуткостью и тактичностью в общении со своими учениками и коллегами, всегда был внимателен к ним, помогая их научному развитию. Много сил и энергии А.В.Ржанов отдал созданию и руководству кафедрой физики полупроводников в Новосибирском государственном университете.

А.В.Ржанов был участником Великой Отечественной войны; в 1941 году он добровольцем ушел на фронт, защищал блокадный Ленинград, в 1943 году он в одной из боевых операций был тяжело ранен. За мужество и героизм, проявленные на фронте, А.В.Ржанов награжден боевыми орденами и медалями.

Память об Анатолии Васильевиче Ржанове навсегда сохранится в сердцах его товарищей, коллег и учеников.

Коллектив Института
физики полупроводников СО РАН.

стр. 

в оглавление

Версия для печати  
(постоянный адрес статьи) 

http://www.sbras.ru/HBC/hbc.phtml?17+108+1