Печатная версия
Архив / Поиск

Archives
Archives
Archiv

Редакция
и контакты

К 50-летию СО РАН
Фотогалерея
Приложения
Научные СМИ
Портал СО РАН

© «Наука в Сибири», 2019

Сайт разработан и поддерживается
Институтом вычислительных
технологий СО РАН

При перепечатке материалов
или использованиии
опубликованной
в «НВС» информации
ссылка на газету обязательна

Наука в Сибири Выходит с 4 июля 1961 г.
On-line версия: www.sbras.info | Новости | Архив c 1961 по текущий год (в формате pdf), упорядоченный по годам
 
в оглавлениеN 15 (2351) 12 апреля 2002 г.

Академик БУГАЕВ
Сергей Петрович

Российская наука понесла тяжелую утрату. 3 апреля 2002 г. на 66-м году жизни после тяжелой болезни скончался выдающийся ученый и организатор науки, председатель Президиума Томского научного центра СО РАН, директор Института сильноточной электроники СО РАН, председатель Объединенного ученого совета СО РАН по физико-техническим наукам, академик Российской академии наук Сергей Петрович Бугаев.

С.П.Бугаев родился 3 августа 1936 г. в Ленинграде, а вся его сознательная жизнь была отдана Томску. Здесь в 1959 г. он окончил Политехнический институт, был аспирантом, научным сотрудником, заведующим лабораторией НИИ ядерной физики при ТПИ. Работал доцентом, профессором, заведующим кафедрой ТУСУРа, профессором Томского государственного университета. В 1976 г. стал доктором технических наук, в 1987 - членом-корреспондентом РАН, а в 2000 г. был избран академиком РАН. Избрание Сергея Петровича членом Академии было актом признания его больших научных заслуг.

В Институте сильноточной электроники Сергей Петрович возглавлял лабораторию, а в 1986 году был избран директором института.

С.П.Бугаев наряду с академиком Г.А.Месяцем и рядом других сотрудников ИСЭ СО РАН, является соавтором открытия взрывной электронной эмиссии. Открытия, прославившего Томскую школу физиков и положившего начало новой науке - сильноточной электронике. И вся научная деятельность Сергея Петровича была связана с ее дальнейшим развитием. Им впервые было показано, что скользящий разряд по диэлектрику в вакууме развивается в слое адсорбированного газа, доказана ведущая роль взрывной эмиссии электронов в инициировании таких разрядов. Этот механизм в дальнейшем был подтвержден многими исследователями. Он внес большой вклад в решение проблемы генерирования сильноточных электронных пучков с использованием холодных катодов. На основе проведенных им исследований перекрытия диэлектриков в вакууме ученый впервые предложил использовать металло-диэлектрические катоды. В модельных экспериментах им впервые были исследованы физические явления в сильноточных диодах со взрывной эмиссией, свойства катодной и анодной плазмы и влияние этой плазмы в диоде на характеристики пучка электронов в ускорителе. Впервые изучены закономерности формирования структуры таких электронных пучков. Результаты исследований по генерированию электронных пучков большого сечения обобщены в монографии "Электронные пучки большого сечения" (1984 г.). На базе исследований ионных потоков из разрядов низкого давления с его участием были разработаны источники газовых и металлических ионов для сильноточной ионной имплантации.

Им были получены важные результаты при исследовании формирования сильноточных полых цилиндрических электронных потоков в коаксиальных диодах с магнитной изоляцией для приборов релятивистской высокочастотной электроники. Впервые установлены соотношения для тока в области ускорения такого диода. Показано, что ток в диоде с магнитной изоляцией определяется ускоряющей областью диода, а не предельным током пространства дрейфа. Результаты исследований физических явлений в коаксиальных диодах с магнитной изоляцией, а также результаты по генерации мощных импульсов микроволнового излучения были обобщены в монографии "Релятивистские многоволновые СВЧ-генераторы" (1991 г.). Сергей Петрович является автором более 200 научных статей и 12 патентов РФ, среди его учеников 2 доктора и 10 кандидатов наук.

Научные заслуги академика С.П.Бугаева отмечены Государственной премией СССР 1984 г. и премией Ленинского комсомола, орденами и медалями СССР и России. Огромное внимание академик С.П.Бугаев уделял и организационной стороне научных исследований, внедрению научных достижений в практику. Трудно переоценить его вклад в развитие Института сильноточной электроники. Под его руководством Институт стал одним из мировых лидеров в области импульсной техники, генерации мощного СВЧ-излучения, в разработке технологий вакуумно-плазменного нанесения покрытий. Будучи избранным в 2000 году на пост председателя Президиума Томского научного центра, С.П.Бугаев приложил огромные усилия по сохранению томского Академгодка как уникального социального образования, под его руководством был возрожден Совет общественности Академгородка, стало налаживаться плодотворное взаимодействие с городскими и региональными властями.

Сергей Петрович Бугаев обладал высокой эрудицией, поистине энциклопедическими знаниями, умением принимать взвешенные управленческие решения, но прежде всего он был исключительно порядочным, добрым, внимательным к окружающим людям и, несмотря на все академические регалии, удивительно скромным человеком.

На праздновании своего 60-летия он сказал - "Я счастливый человек. У меня одна жизнь, одно дело, одна семья". По сути это было его жизненное кредо. Такие люди как С.П.Бугаев не забываются, память о нем навсегда останется в истории науки, в сердцах всех знавших его людей.

Ю.С.Осипов, Г.А.Месяц, А.А.Боярчук, Н.Л.Добрецов, В.И.Молодин, Г.Н.Кулипанов, Р.З.Сагдееев, В.М.Фомин, В.Ф.Шабанов, К.С.Александров, С.Н.Багаев, Л.М.Барков, Г.А.Жеребцов, В.Е.Зуев, Б.М.Ковальчук, Э.П.Кругляков, Г.Ф.Крымский, В.Е.Панин, Б.В.Чириков, А.Л.Асеев, М.В.Кабанов, С.Г.Коровин, В.П.Тарасенко, Ю.А.Хон, А.П.Хузеев, Л.К.Алтунина, Ю.М.Максимов, С.Л.Шварцев.


стр. 

в оглавление

Версия для печати  
(постоянный адрес статьи) 

http://www.sbras.ru/HBC/hbc.phtml?20+207+1