АКТУАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ
ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ
Совещание под таким названием было организовано Институтом физики
полупроводников СО РАН и состоялось в г.Новосибирске с 28 по 31
августа при поддержке Министерства промышленности, науки и
технологий РФ, Российского фонда фундаментальных исследований и
Научного совета РАН по комплексной программе «Физика
твердотельных наноструктур».
Наш корр.
Работы по полупроводниковой фотоэлектронике и системам тепло- и
ночного видения занимают важное место в тематике исследований
Института физики полупроводников и КТИ прикладной
микроэлектроники. В последние годы в институте достигнуты
результаты прорывного характера в создании нового класса
фоточувствительных материалов методом молекулярно-лучевой
эпитаксии; предложены пути реализации фотоприемных устройств на
квантовых эффектах в полупроводниковых системах пониженной
размерности; разработаны технологии создания большеформатных
матриц фотоприемных элементов и электронно-оптических
преобразователей нового поколения. В КТИ ПМ созданы новые
оптико-электронные системы, в том числе на основе разработок ИФП
СО РАН. Эти работы ведутся большим коллективом исследователей под
руководством лауреатов Государственной премии РФ профессоров
В. Овсюка и А.Двуреченского, д.ф.-м.н. Ю. Сидорова, профессоров
А. Терехова и Г.Курышева, к.т.н. П. Журавлева.
 |
| А. Асеев, А. Серый-Казак (директор НПП «Восток»), В. Овсюк.
|
В работе совещания приняли участие около 120 представителей
академической и отраслевой науки, ведущих предприятий
промышленности центрального региона России и г.Новосибирска,
силовых ведомств Российской Федерации — основных заказчиков и
потребителей устройств фотоэлектроники. Идея проведения совещания
в таком формате была высказана Нобелевским лауреатом академиком
Ж. Алферовым, поддержка которого во многом обеспечила успех
научного форума. Из иностранных участников наиболее
представительной явилась делегация Института физики
полупроводников Национальной академии наук Украины, возглавляемая
членом-корреспондентом НАН Украины Ф. Сизовым.
Участники совещания заслушали более 30 устных и более 50
стендовых доклада по широкому спектру проблем современной
фотоэлектроники. По заключению участников совещания, мы являемся
свидетелями и непосредственными участниками нового этапа в
развитии фотоэлектроники — становлении интеллектуальных фотонных
систем различных видов и предназначений, вплотную приближающих
нас к созданию однокристальных интегрированных систем
технического зрения. Возможности последних, несмотря на короткую
историю полупроводниковой фотоэлектроники (несколько
десятилетий), сопоставимы с биологическим зрением, на
формирование которого ушли миллионы лет эволюции. В краткой
заметке невозможно перечислить все значимые результаты,
полученные в данной области. Тем не менее следует отметить
прогресс в создании фотоприемных устройств на слоях
кадмий-ртуть-теллур (ИФП СО РАН, ГНЦ РФ ФГУП «НПО «Орион», ФГУП
«Альфа»), на системах с квантовыми ямами (ИФП СО РАН, ФГУП НИИ
«Полюс»), на приборах с зарядовой связью и легированном кремнии
(ГУП НПП «Пульсар»), на КМОП-фотодиодных устройствах (Институт
проблем проектирования в микроэлектронике РАН). Особо следует
выделить пионерские результаты ИФП СО РАН (группа исследователей
под руководством проф. А. Двуреченского) по получению
неохлаждаемых фотоприемников дальнего ИК-диапазона на основе
квантовых точек германия в кремнии, которые вызвали большой
интерес со стороны представителей промышленных предприятий.
Важным событием в работе совещания явилось обсуждение концепции
разработки нового поколения полупроводниковых
электронно-оптических преобразователей, предложенной проф.
А. Тереховым (ИФП СО РАН) совместно с коллегами из промышленности.
 |
| В зале заседаний во время работы совещания. |
Высочайший уровень работ российских ученых продемонстрировали
доклады по светоизлучающим структурам на системе германий-кремний
(д.ф.-м.н. З. Красильник, Институт физики микроструктур РАН),
возможностям получения стимулированного излучения терагерцового
диапазона из напряженного германия и структур германий-кремний
(д.ф.-м.н. М. Каган, Институт радиотехники и электроники РАН),
поверхностно-излучающим лазерам (д.ф.-м.н. А. Егоров,
Физико-технический институт им А.Иоффе РАН; д.ф.-м.н. В. Гайслер,
ИФП СО РАН). Участники совещания побывали на полигонных
испытаниях обзорных систем тепло- и ночного видения различного
назначения, созданных на предприятиях г.Новосибирска и в КТИ ПМ,
в том числе на элементах разработки ИФП СО РАН. Большое
впечатление на участников произвело знакомство с красотами
сибирской природы в теплые дни уходящего лета во время прогулки
на теплоходе по Обскому морю и двухдневного пребывания в
пансионате «Синеморье».
Как было отмечено в заключительном слове председателя совещания
члена-корреспондента РАН А. Асеева, совещание выполнило свои
основные задачи: было продемонстрировано современное состояние,
проблемы и уровень работ в России, который по основным
показателям не уступает развитым странам-монополистам в данной
области (США, Франция, Япония); проведена координация работ
ученых и производственников в области исследования и создания
полупроводниковых фоточувствительных элементов; сформулированы
основные проблемы на современном этапе развития полупроводниковой
фотоэлектроники и определены основные задачи и направления работ
на ближайшее будущее.
стр. 4
|
