Печатная версия
Архив / Поиск

Archives
Archives
Archiv

Редакция
и контакты

К 50-летию СО РАН
Фотогалерея
Приложения
Научные СМИ
Портал СО РАН

© «Наука в Сибири», 2019

Сайт разработан и поддерживается
Институтом вычислительных
технологий СО РАН

При перепечатке материалов
или использованиии
опубликованной
в «НВС» информации
ссылка на газету обязательна

Наука в Сибири Выходит с 4 июля 1961 г.
On-line версия: www.sbras.info | Новости | Архив c 1961 по текущий год (в формате pdf), упорядоченный по годам
 
в оглавлениеN 14 (2500) 15 апреля 2005 г.

ВАКАНСИИ

Высший колледж информатики НГУ объявляет конкурс на замещение должности директора. Квалификационные требования к кандидатам: наличие учёной степени или ученого звания, стаж научно-педагогической работы не менее 5 лет. Документы подавать до 15 мая по адресу, 630058, г.Новосибирск, ул. Русская, 35, ВКИ. Телефон для справок 33-20-25 (отдел кадров).

Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН объявляет конкурс на замещение вакантной должности: заведующего лабораторией (доктора наук) синтеза и роста монокристаллов соединений РЗЭ по специальности 02.00.04. «физическая химия». Срок конкурса — один месяц со дня публикации. Документы направлять по адресу: 630090, Новосибирск, пр. Лаврентьева, 3. Справки по телефону: 30-79-49 (отдел кадров).

Институт химической кинетики и горения СО РАН объявляет конкурс на замещение вакантной должности по специальности «теоретическая химическая физика». Срок подачи документов — месяц со дня публикации. Документы подавать по адресу: 630090, г.Новосибирск, ул. Институтская, 3; тел. отдела кадров: 33-36-46.

Институт химической биологии и фундаментальной медицины СО РАН объявляет конкурс на замещение вакантной должности по специальности 02.00.10 — «биоорганическая химия». Срок конкурса — один месяц со дня опубликования объявления. Документы направлять по адресу: 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 8.

Институт физики полупроводников СО РАН объявляет прием в 2005 году:

— в аспирантуру (очное и заочное отделения) по специальностям: физика полупроводников; физика конденсированного состояния; физическая электроника; оптика; физическая химия; твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах; телекоммуникационные системы и компьютерные сети;

— в докторантуру (очное отделение) по специальностям: физика полупроводников и физика конденсированного состояния.

Институт имеет высококвалифицированных специалистов для руководства аспирантами по вышеперечисленным специальностям, обладает высокотехнологической базой для проведения исследований, поддерживает молодых специалистов выделением конкурсных и именных стипендий, обеспечивает материальную поддержку для проживания иногородних аспирантов.

Сроки приема: с 1 июня по 7 июля и с 1 сентября по 15 ноября. За справками обращаться к заведующей аспирантурой Шерстяковой  В. Н., тел.: 30-66-31,
e-mail: sher@thermo.isp.nsc.ru

стр. 16

в оглавление

Версия для печати  
(постоянный адрес статьи) 

http://www.sbras.ru/HBC/hbc.phtml?31+328+1