Печатная версия
Архив / Поиск

Archives
Archives
Archiv

Редакция
и контакты

К 50-летию СО РАН
Фотогалерея
Приложения
Научные СМИ
Портал СО РАН

© «Наука в Сибири», 2019

Сайт разработан и поддерживается
Институтом вычислительных
технологий СО РАН

При перепечатке материалов
или использованиии
опубликованной
в «НВС» информации
ссылка на газету обязательна

Наука в Сибири Выходит с 4 июля 1961 г.
On-line версия: www.sbras.info | Новости | Архив c 1961 по текущий год (в формате pdf), упорядоченный по годам
 
в оглавлениеN 15 (2600) 12 апреля 2007 г.

КОСМИЧЕСКИЙ ЛЕД ТРОНУЛСЯ

Именно так, метафорически, можно определить начало нового масштабного этапа развития аэрокосмической отрасли в России в трижды юбилейный год для космонавтики: 150-летия со дня рождения К. Циолковского, 100-летия — С. Королева и 50-летия запуска первого советского искусственного спутника Земли (1957 г.).

Галина Шпак, «НВС»

Иллюстрация

В Государственной думе 29 марта состоялось совещание Международного стратегического консорциума ОКБ «Авиационно-космические производственные системы». Примечательно, что совещание организовано при участии Администрации Президента РФ, Федерального космического агентства, Росавиапрома, Российской академии наук, Российской инженерной академии.

Эта встреча проводилась в формате «круглого стола». Тема заседания — выбор приоритетов развития аэрокосмической отрасли; порядок реализации совместных, в том числе международных, проектов создания производства элементной базы микроэлектроники в космосе и многоразовых авиационно-космических транспортных систем.

Специалисты обсуждали основные направления деятельности в создании авиационно-космической производственной системы; создание базовой орбитальной многофункциональной технологической производственной системы «Экран»; создание авиационно-космической системы многоразового выведения полезной нагрузки различного назначения.

Перед началом заседания круглого стола состоялась церемония награждений. Медалями «За заслуги в укреплении национальной безопасности» были награждены академик А. Орликовский, профессор О. Пчеляков, заслуженный военный летчик России  Н. Кушнарев и Главный конструктор ОАО НПО «Молния» В. Скороделов. Вручал медали председатель Высшего совета Парламентского центра «Комплексная безопасность Отечества» С. Харьков.

Далее, в соответствии с программой, были заслушаны доклады, отражающие цели и задачи развития аэрокосмической отрасли. С концепцией проекта «Авиационно-космические производственные системы» познакомил В. Скороделов, главный конструктор ОАО НПО «Молния».

Проблемные вопросы отечественных информационных технологий и пути их решения рассматривались в докладе В. Денисова, председателя Совета управляющих МФПГ «Интернавигация», генерального директора ЗАО НТФ «Градиент».

Организационно-политическим мероприятиям, обеспечивающим реализацию проекта, посвятил свое выступление Н. Кушнарев, генеральный директор консорциума «Авиационно-космические производственные системы», заслуженный военный летчик России, генерал майор авиации.

Научно-технический задел по двигательным установкам авиационно-космической транспортной системы представил Б. Каторгин, генеральный конструктор ОАО НПО «Энергомаш» им. ак. В. П. Глушко.

О принципах управления для авиационно-космической транспортной системы говорил А. Сыров, директор, главный конструктор МОКБ «Марс».

В. Каргопольцев, директор ФГУП ЦАГИ им. Н. Е. Жуковского, рассказал об экспериментальных исследованиях в аэро-термодинамике многоразовых возвращаемых аппаратов и представил экспертные заключения по проекту.

Самолет-носитель многоразовой авиационно-космической транспортной системы — тема доклада Д. Кивы, генерального конструктора АНТК им. О.К. Антонова.

Возможные направления применения продукции орбитального производства полупроводниковых материалов — об этом говорил академик А. Орликовский, директор Физико-технологического института РАН.

Отметим участие в крупном международном проекте (Казахстан, Россия, Украина) коллектива Института физики полупроводников СО РАН.

О принципиальных особенностях технологий производства полупроводниковых материалов в условиях орбитального полета рассказал О. Пчеляков, зав. отделом ИФП СО РАН. В докладе О. Пчелякова говорилось о том, что одним из наиболее интенсивно развивающихся направлений космического полупроводникового материаловедения является разработка наукоемких технологий, связанных с использованием глубокого и чистого вакуума, образующегося в открытом космосе вблизи орбитальных станций при использовании эффекта «молекулярного экрана». К таким технологиям в первую очередь относится молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) с тигельными и газовыми источниками молекулярных пучков.

Промышленная реализация метода МЛЭ убедительно показала, что он стал лучшим методом получения многослойных эпитаксиальных структур с гладкостью границ на атомарном уровне, прецизионно заданной толщиной слоев, составом и профилем легирования. Работы по созданию специализированной технологической установки МЛЭ для эксплуатации в кильватерной области молекулярного защитного экрана в условиях орбитального полета космических аппаратов, в том числе проведенные в США Алексом Игнатьевым, были направлены на преодоление физических ограничений наземных вакуумных технологий. Эти ограничения связаны с высокой сложностью дальнейшего улучшения достигнутых на сегодняшний день в наземных установках предельных параметров откачных средств и чистоты вакуумной среды. Кроме того, в сравнительно небольших по размерам наземных вакуумных объемах неизбежно влияние эффекта накопления распыляемых материалов и примесей на развитой поверхности стенок и вакуумной оснастки. Неконтролируемое реиспарение этих материалов в процессе эпитаксии делает невозможным решение таких важных проблем, как получение особочистых, высокосовершенных и однородных по площади многослойных гетероструктур с резкими межслоевыми границами на основе полупроводниковых соединений типа А4В4, А3В5 и А2В6. На кремниевых пластинах большого диаметра такие эпитаксиальные структуры могли бы сыграть роль альтернативных универсальных подложек для получения широкого диапазона гетероструктур. Разработка и реализация этого нового поколения полупроводниковых структур методом молекулярно-лучевой эпитаксии приведет к революционизирующим изменениям всей элементной базы отечественной электроники. На основе таких структур предполагается также изготавливать изделия полупроводниковой техники, в том числе для высокоэффективных преобразователей солнечной энергии и термофотоэлектрических генераторов.

В настоящее время работа исполнителей данного проекта направлена на создание и испытание наземных прототипов всех технологических систем установки МЛЭ, предназначенных для выноса в космос. При этом будет развит многолетний задел в создании трех поколений промышленно-ориентированного отечественного оборудования для МЛЭ и базовых технологий эпитаксии элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений. Большую роль в выполнении проекта играет реализация уникального опыта в создании технологической оснастки, контрольно-измерительной аппаратуры, систем питания и всех бортовых средств автоматизации и телеметрии (ИЭС им. Е. О. Патона и РКК «Энергия» им. С. П. Королева). В основе программы лежит использование более дешевого, чем арсенид галлия (в 15 раз) и более легкого (в 2,3 раза) подложечного материала большой площади (пластины кремния диаметром до 450 мм). Получение гетероэпитаксиального слоя арсенида галлия предполагается проводить непосредственно перед синтезом приборных структур. Сборку солнечных модулей для применения в космосе предполагается организовать на борту орбитальной станции. В ходе проекта планируется создание орбитальной минифабрики по производству гетероструктур для солнечных батарей нового поколения, альтернативного подложечного материала и многослойных гетеропереходов на основе полупроводниковых соединений типа А4В4, А3В5 и А2В6 на кремниевых пластинах большого диаметра для нужд интегральной опто-, микро- и наноэлектроники. В настоящее время обсуждается вопрос об участии американских партнеров в предстоящем проекте и их вхождении в консорциум «Аэрокосмические производственные системы».

стр. 7

в оглавление

Версия для печати  
(постоянный адрес статьи) 

http://www.sbras.ru/HBC/hbc.phtml?10+415+1