Печатная версия
Архив / Поиск

Archives
Archives
Archiv

Редакция
и контакты

К 50-летию СО РАН
Фотогалерея
Приложения
Научные СМИ
Портал СО РАН

© «Наука в Сибири», 2019

Сайт разработан и поддерживается
Институтом вычислительных
технологий СО РАН

При перепечатке материалов
или использованиии
опубликованной
в «НВС» информации
ссылка на газету обязательна

Наука в Сибири Выходит с 4 июля 1961 г.
On-line версия: www.sbras.info | Новости | Архив c 1961 по текущий год (в формате pdf), упорядоченный по годам
 
в оглавлениеN 39 (2624) 11 октября 2007 г.

НАНОТЕХНОЛОГИИ

Круглый стол под таким названием был проведен в Институте физики полупроводников СО РАН в рамках российско-казахстанского симпозиума «Наука и образование в ХХI веке».

Его тематика вызвала большой интерес со стороны российских участников, в числе которых были представлены институты Физики полупроводников, Автоматики и электрометрии, Теплофизики, Геохимии СО РАН, Новосибирский, Томский и Алтайский госуниверситеты. Казахстанская сторона была представлена Физико-техническим институтом (ФТИ) (г. Алматы) и ТОО «МК КазСиликон». Об интересе к обозначенной теме свидетельствовало также участие в его работе проф. А. Игнатьева, специально приехавшего в Новосибирск из университета г. Хьюстона (США).

Иллюстрация
Участники круглого стола по нанотехнологиям.

Сопредседатели круглого стола академик А. Асеев и директор ФТИ проф. С. Токмолдин предложили участникам сосредоточиться на проблемах нанотехнологий, непосредственно разрабатываемых в рамках сотрудничества ученых и специалистов России и Казахстана. В их числе — работы в области полупроводниковых наноструктур и наноэлектроники, солнечной энергетики, в развитии космических технологий, проблемы диагностики полупроводниковых наноструктур. Содержательные сообщения по указанным проблемам были сделаны проф. С. Токмолдиным и Х. Абдуллиным, н.с. В. Клименовым — с казахстанской стороны, проф. О. Пчеляковым и А. Непомнящих, академиком А. Ребровым с российской стороны. Особое внимание было уделено подготовке высоквалифицированных кадров для Казахстана с использованием потенциала университетов Сибири. В дискуссии выступили директор Института автоматики и электрометрии чл.-корр. РАН А. Шалагин, многие сотрудники институтов Сибирского отделения и гости из Томска и Барнаула.

Круглый стол одобрил работу по подготовке Соглашения по организации научно-образовательного партнерства «Нанотехнология», в котором, наряду с Институтом физики полупроводников СО РАН, участвуют также С.-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН во главе с академиком Ж. Алферовым, фирма «НТ-МДТ» (г. Зеленоград), Томский госуниверситет — с российской стороны, а Физико-технический институт, национальный университет им. аль-Фараби и национальный технический университет им. К.И. Сатпаева с казахстанской стороны.

Подготовлены и подписаны Меморандум о взаимодействии в развитии методов получения полупроводниковых материалов и гетероструктур в условиях космического пространства (проект «Аметист») и Меморандум о реализации Российско-Казахстанского проекта получения мультикремния для фотопреобразователей солнечной энергии.

Наш корр.

стр. 5

в оглавление

Версия для печати  
(постоянный адрес статьи) 

http://www.sbras.ru/HBC/hbc.phtml?6+434+1