Печатная версия
Архив / Поиск

Archives
Archives
Archiv

Редакция
и контакты

К 50-летию СО РАН
Фотогалерея
Приложения
Научные СМИ
Портал СО РАН

© «Наука в Сибири», 2024

Сайт разработан
Институтом вычислительных
технологий СО РАН

При перепечатке материалов
или использованиии
опубликованной
в «НВС» информации
ссылка на газету обязательна

Наука в Сибири Выходит с 4 июля 1961 г.
On-line версия: www.sbras.info | Архив c 1961 по текущий год (в формате pdf), упорядоченный по годам см. здесь
 
в оглавлениеN 41 (2626) 25 октября 2007 г.

МЕМОРАНДУМ О СОТРУДНИЧЕСТВЕ

между Институтом геохмии им. А.П.Виноградова СО РАН, Институтом физики полупроводников СО РАН, Институтом теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, ООО «Солнечный кремний» (Российская Федерация) и ТОО «МК KazSilicon» компании «TSC Group» (Республика Казахстан), 2007 г.

Настоящий Меморандум о сотрудничестве (в дальнейшем «Меморандум») заключен 4 октября 2007 г. между:

Институтом геохимии имени А. П. Виноградова СО РАН (юридический адрес — Россия, 664033, г. Иркутск, Фаворского, 1а), Институтом физики полупроводников СО РАН (юридический адрес — Россия, 630090 г. Новосибирск, пр. Академика Лаврентьева, 13), Институтом теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН (юридический адрес — Россия, 630090, г. Новосибирск, пр. Академика Лаврентьева, 1), Обществом с ограниченной ответственностью «Солнечный кремний» (юридический адрес — Россия, 119180 Москва, ул. Б. Полянка, 2/10, стр. 1), Компанией «TSC Group» (юридический адрес — Республика Казахстан, 050031, г. Алматы, ул.Толе би, 302-а), ТОО «МК KazSilicon» (юридический адрес — Республика Казахстан, Уштобе, ул. Комарова, 1).

Иллюстрация

Договаривающиеся стороны действуют в рамках следующих Соглашений между Республикой Казахстан и Российской Федерацией:

— Договор о вечной дружбе, сотрудничестве и взаимной помощи между Республикой Казахстан и Российской Федерацией от 25 мая 1992 года;

— Совместное заявление Президента Республики Казахстан и Президента Российской Федерации от 6 июля 1998 года;

— Соглашение между Правительствами Республики Казахстан и Российской Федерации о сотрудничестве в области культуры, науки и образования от 28 марта 1994 года, г. Москва;

— Соглашение между Министерством науки — Академией наук Республики Казахстан и Сибирским отделением Российской академии наук о научно-техническом сотрудничестве от 8 июля 1998 года, г. Алматы.

Бурный рост производства ФЭП привел к дефициту кремния солнечного качества, который в 2006 году составил более 5000 тонн. К 2010 году потребуется увеличение объемов производства кремния для нужд солнечной энергетики до 40 000 тонн в год. Общая установленная мощность солнечных модулей составила 6,5 ГВт на конец 2006 года, и к 2020 году прогнозируется достичь 205 ГВт. Предполагается, что в 2030 году солнечными станциями будет вырабатываться 10 %, а в 2040 году от 20 до 28% общего мирового объема выработки электроэнергии.

К настоящему времени в рамках проведения фундаментальных исследований по планам НИР Институтов СО РАН и интеграционных проектов СО РАН разработаны физико-химические основы технологии получения мультикристаллического кремния для солнечной энергетики из высокосортного рафинированного металлургического кремния. На основе физико-химического моделирования разработана принципиально новая технология рафинирования расплава кремния, позволяющая производить глубокую очистку кремния от бора, фосфора, углерода и ряда тяжелых металлов. Получены результаты по взаимосвязи структуры и электрофизических характеристик мультикремния. Внедрение этой технологии в промышленность позволит кардинально снизить цену мультикремния и создать необходимые объемы производств.

Для промышленной реализации проекта в России создана компания ООО «Солнечный кремний», которой достигнуты соглашения с рядом российских и зарубежных фондов прямого и венчурного финансирования. Основными задачами формируемой инвестиционной программы являются проведение опытно-промышленного тестирования технологии прямого получения кремния солнечного качества и дальнейшая организация полномасштабного производства мультикристаллического кремния на научно-производственных площадках России и Казахстана.

Правительство Республики Казахстан придает большое значение созданию и развитию производства кремния как основе развития альтернативной энергетики. Группой компаний «TSC Group Corporation» в лице ТОО МК «KazSilicon» сегодня впервые в Средней Азии запущено производство высокочистого рафинированного кремния.

Принимая во внимание, что Стороны имеют совпадающие интересы, полагаем, что изобретения, достижения и усовершенствования, которые будут сделаны в соответствии с этим Меморандумом, приведут к получению взаимной выгоды обеими Сторонами.

Статья 1.
Возможности сотрудничества

Стороны установили следующие области общих интересов для сотрудничества:

1. Изучение процессов рафинирования расплава кремния в ковше с целью глубокой очистки кремния от бора, фосфора, углерода и тяжелых металлов.

2. Изучение процессов восстановления кремния из высокочистых исходных компонентов для получения высококачественного кремния для производства фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии.

3. Создание промышленных технологий получения мультикремния для солнечной энергетики.

4. Разработка физико-технологических основ создания высокоэффективных фотопреобразователей на основе мультикремния.

5. Реализация проекта «Солнечный кремний», направленного на создание крупномасштабного производства мультикремния и солнечных энергосистем на его основе.

Статья 2.
Формы сотрудничества

Согласно Меморандуму сформулированы пять форм сотрудничества:

1. Обмен информацией и публикациями

По взаимно интересующим вопросам Стороны обмениваются информацией и публикациями.

2. Совместные научно-исследовательские проекты

Стороны участвуют в совместных объединенных проектах, которые могут включать, но не ограничиваются этим, техническую помощь, научную и техническую консультацию и техническую передачу, которая должна быть определена в соответствии с отдельными контрактами.

3. Обмен персоналом

Каждая сторона может послать ученых, инженеров, и исследователей-студентов к другой стороне с целью обучения, ознакомления или участия в исследованиях и получения передового опыта от другой стороны. В случае, если любая сторона посылает свой персонал другой стороне с целью ознакомления с передовым опытом согласно Программам, принимающая сторона должна обеспечить рабочее место, компьютерное оборудование, лабораторные средства обслуживания и техническое руководство стажеру в течение периода обучения. Каждое из таких посещений будет производиться по отдельному соглашению на разовом основании.

4. Объединенные семинары

С целью укрепления совместных отношений стороны будут проводить взаимные консультации на основе практических потребностей и организовывать объединенные семинары. Детали организации семинаров будут определяться по отдельным соглашениям на разовой основе.

5. Совместные промышленные проекты

С целью реализации проекта Стороны участвуют в создании совместных предприятий на территории России и Казахстана, оформляемых отдельными соглашениями.

Статья 3.
Период действия

Меморандум вступает в силу с момента подписания обеими сторонами и остается в силе в течение пяти лет после даты подписания, если период действия не будет расширен или изменен взаимным письменным соглашением.

Статья 4.
Условия распространения информации

Ни одна из Сторон не должна раскрывать или распространять никакую информацию о проекте, полученную другой стороной, без согласия другой стороны.

Статья 5.
Другие условия

Любые другие специальные требования, неявно заявленные в Меморандуме, должны быть полностью описаны в разделах «Дополнительные условия», «Прочие условия» или в других разделах отдельных соглашений, контрактов или договоров, подписываемых обеими Сторонами.

Статья 6.
Обязательства по отношению к третьим лицам

Любые предшествующие обязательства по отношению к третьим лицам каждой из Сторон остаются в силе.

Меморандум каждая из сторон заверяет своими подписями, приведенными ниже. Меморандум составлен в восьми экземплярах на русском языке по одному экземпляру для каждой Стороны.

От Республики Казахстан:
Председатель Правления Совета
директоров компании
«TSC Group Corporation»
Б. К. Оспанов
Генеральный директор
ТОО «МК KazSilicon»
Э. А. Касымов

От Российской Федерации
Председатель СО РАН
академик РАН Н. Л. Добрецов
Директор ИГХ СО РАН
академик РАН М. И. Кузьмин
Директор ИФП СО РАН
академик РАН А. Л. Асеев
Директор ИТ СО РАН
чл.-корр РАН С. В. Алексеенко
Генеральный директор
ООО «Солнечный кремний»
к.э.н. Г. А. Кареев

стр. 10

в оглавление

Версия для печати  
(постоянный адрес статьи) 

http://www.sbras.ru/HBC/hbc.phtml?9+436+1