Печатная версия
Архив / Поиск

Archives
Archives
Archiv

Редакция
и контакты

К 50-летию СО РАН
Фотогалерея
Приложения
Научные СМИ
Портал СО РАН

© «Наука в Сибири», 2019

Сайт разработан и поддерживается
Институтом вычислительных
технологий СО РАН

При перепечатке материалов
или использованиии
опубликованной
в «НВС» информации
ссылка на газету обязательна

Наука в Сибири Выходит с 4 июля 1961 г.
On-line версия: www.sbras.info | Новости | Архив c 1961 по текущий год (в формате pdf), упорядоченный по годам
 
в оглавлениеN 7-8 (2642-2643) 21 февраля 2008 г.

В ИНСТИТУТЕ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
ИМ. А. В. РЖАНОВА

Н.Б. Придачин, ученый секретарь по выставочной работе

В соответствии с предварительными заявками с утра 8 февраля в холле главного корпуса Института собрались многочисленные (около 100 человек) посетители. Среди первых были старшеклассники школы № 163 (два выпускных класса), 12 человек из школы № 119 (правый берег). Позже подъехали 20 старшеклассников гимназии № 13 (ВАСХНИЛ) и 23 человека из гимназии № 1 (Красный проспект, 48). Последними подъехали студенты — 23 человека из гимназии № 4 (Железнодорожный район).

Иллюстрация
Д.ф.-м.н., ведущий научный сотрудник А. П. Ковчавцев объясняет принципы работы медицинского тепловизора.

Кроме школьников и гимназистов в Днях науки в институте приняли участие студенты 5 курса Сибирской государственной геофизической академии — Советское отделение (15 человек).

Дни науки в институте сопровождал корреспондент «Академинформ» Ю. С. Лукьяненко.

Все гости были разделены на небольшие группы по 10-12 человек и в сопровождении наших молодых ученых, посетили научные лаборатории, музей науки и технологий, научную библиотеку. Экскурсанты ознакомились с историей становления института, научными разработками последних лет в области физики полупроводников, квантовой электроники, материаловедения и, конечно, наноэлектроники.

Все желающие получили сборник трудов сотрудников института за прошлые годы.

В 14:30 в конференц-зале института открылась научная сессия. Открывая заседание, директор института академик А. Л. Асеев охарактеризовал состояние работ проводимых в институте, их значение и место для технологического и технического прогресса в России и мире.

Чл.-корр. РАН И. Г. Неизвестный в своем выступлении показал стремительный прогресс в развитии электроники, продемонстрировал пути дальнейшего развития электронной техники.

Иллюстрация
В лаборатории молекулярно-лучевой эпитаксии посетители знакомятся с технологическим оборудованием для получения наноструктур.

С большим вниманием слушателями были восприняты сообщения молодых ученых, посвященных различным аспектам изучения микромира, современным методам изучения нанообъектов. Председатель Совета молодых ученых института Д. В. Щеглов рассказал о работе Совета и мерах социальной и профессиональной поддержки молодежи.

В заключение встречи состоялось неформальное общение представителей совета молодых ученых института и гостей за чашкой чая.

Фото В. Яковлева

стр. 4

в оглавление

Версия для печати  
(постоянный адрес статьи) 

http://www.sbras.ru/HBC/hbc.phtml?7+451+1