Печатная версия
Архив / Поиск

Archives
Archives
Archiv

Редакция
и контакты

К 50-летию СО РАН
Фотогалерея
Приложения
Научные СМИ
Портал СО РАН

© «Наука в Сибири», 2019

Сайт разработан и поддерживается
Институтом вычислительных
технологий СО РАН

При перепечатке материалов
или использованиии
опубликованной
в «НВС» информации
ссылка на газету обязательна

Наука в Сибири Выходит с 4 июля 1961 г.
On-line версия: www.sbras.info | Новости | Архив c 1961 по текущий год (в формате pdf), упорядоченный по годам
 
в оглавлениеN 22 (2308) 8 июня 2001 г.

ПАМЯТИ УЧЕНОГО

Прошло уже более двух лет, как перестало биться сердце выдающегося ученого и замечательного человека, директора Института физики полупроводников, директора-организатора Специального конструкторско-технологического бюро специальной электроники и аналитического приборостроения (ныне КТИ ПМ), заместителя председателя СО РАН, члена-корреспондента РАН Константина Константиновича Свиташева.

В соответствии с постановлениями Президиума СО РАН и мэрии г.Новосибирска на могиле К.Свиташева сооружен памятник, открытие которого состоялось 1 июня 2001 г. Композиция памятника разработана архитектором А.Кондратьевым в творческом содружестве с вдовой К.Свиташева — С.Свиташевой. Большую роль в его сооружении сыграли ныне покойный главный инженер ИФП Г.Торшин и производственно-техническая база "Клен" (руководитель В.Семенкин). Верхний срез массивной стелы из хибинита формирует стилизованный эллипс, что отражает главную идею научного творчества К.Свиташева — развитие науки об эллиптически поляризованном свете и применение явления эллиптической поляризации света при отражении для диагностики ультратонких покрытий на поверхности полупроводников.

Выступивший на открытии памятника директор ИФП, член-корреспондент РАН А.Асеев подчеркнул, что память о Константине Константиновиче Свиташеве запечатлена как в этом замечательном монументе, так и в делах и достижениях Института, которому К.Свиташев отдал лучшие годы жизни, работая в нем с момента основания Института в 1962 г. В последние годы коллектив Института преодолел многие трудности времен реформ: новый импульс получили начатые по инициативе К.Свиташева работы по созданию нового класса полупроводниковых материалов для ИК-техники методами молекулярно-лучевой эпитаксии, разработке нового поколения матричных фотоприемных устройств и оптико-электронных систем на их основе; лучшие приборные разработки Института — тепловизор среднего ИК-диапазона и эллипсометр, работающий в режиме реального времени, получили поддержку в рамках Федеральной программы развития приборной базы науки; с немалыми трудностями создан и успешно работает участок получения высокосовершенного монокристаллического кремния — материала, который востребован предприятиями электронной промышленности России и других стран. В июне этого года под редакцией ближайшего сподвижника К.Свиташева, профессора С.Синицы, выйдет в свет монография "Матричные фотоприемные устройства", посвященная памяти К.Свиташева и подготовленная его многочисленными последователями и учениками. Залогом дальнейших успехов в направлениях работ, заложенных К.Свиташевым, являются стипендии его имени, ежегодно присуждаемые Ученым советом лучшим молодым сотрудникам Института.

На церемонии открытия памятника выступили: заместитель председателя СО РАН член-корреспондент РАН Г.Кулипанов, заместитель директора ИФП д.ф.-м.н.В.Овсюк, вдова С.Свиташева. Выступавшими подчеркнута громадная роль К.Свиташева в решении проблем Сибирской науки и в обеспечении успешного развития Сибирского отделения и Института физики полупроводников, в частности. Мы склоняем голову перед светлой памятью Константина Константиновича Свиташева.

стр. 

в оглавление

Версия для печати  
(постоянный адрес статьи) 

http://www.sbras.ru/HBC/hbc.phtml?12+49+1