ПАМЯТИ УЧЕНОГО
Прошло уже более двух лет, как перестало биться сердце
выдающегося ученого и замечательного человека, директора
Института физики полупроводников, директора-организатора
Специального конструкторско-технологического бюро специальной
электроники и аналитического приборостроения (ныне КТИ ПМ),
заместителя председателя СО РАН, члена-корреспондента РАН
Константина Константиновича Свиташева.
В соответствии с постановлениями Президиума СО РАН и мэрии
г.Новосибирска на могиле К.Свиташева сооружен памятник, открытие
которого состоялось 1 июня 2001 г. Композиция памятника
разработана архитектором А.Кондратьевым в творческом содружестве
с вдовой К.Свиташева — С.Свиташевой. Большую роль в его
сооружении сыграли ныне покойный главный инженер ИФП Г.Торшин и
производственно-техническая база "Клен" (руководитель
В.Семенкин). Верхний срез массивной стелы из хибинита формирует
стилизованный эллипс, что отражает главную идею научного
творчества К.Свиташева — развитие науки об эллиптически
поляризованном свете и применение явления эллиптической
поляризации света при отражении для диагностики ультратонких
покрытий на поверхности полупроводников.
Выступивший на открытии памятника директор ИФП,
член-корреспондент РАН А.Асеев подчеркнул, что память о
Константине Константиновиче Свиташеве запечатлена как в этом
замечательном монументе, так и в делах и достижениях Института,
которому К.Свиташев отдал лучшие годы жизни, работая в нем с
момента основания Института в 1962 г. В последние годы коллектив
Института преодолел многие трудности времен реформ: новый импульс
получили начатые по инициативе К.Свиташева работы по созданию
нового класса полупроводниковых материалов для ИК-техники
методами молекулярно-лучевой эпитаксии, разработке нового
поколения матричных фотоприемных устройств и оптико-электронных
систем на их основе; лучшие приборные разработки Института —
тепловизор среднего ИК-диапазона и эллипсометр, работающий в
режиме реального времени, получили поддержку в рамках Федеральной
программы развития приборной базы науки; с немалыми трудностями
создан и успешно работает участок получения высокосовершенного
монокристаллического кремния — материала, который востребован
предприятиями электронной промышленности России и других стран. В
июне этого года под редакцией ближайшего сподвижника К.Свиташева,
профессора С.Синицы, выйдет в свет монография "Матричные
фотоприемные устройства", посвященная памяти К.Свиташева и
подготовленная его многочисленными последователями и учениками.
Залогом дальнейших успехов в направлениях работ, заложенных
К.Свиташевым, являются стипендии его имени, ежегодно присуждаемые
Ученым советом лучшим молодым сотрудникам Института.
На церемонии открытия памятника выступили: заместитель
председателя СО РАН член-корреспондент РАН Г.Кулипанов,
заместитель директора ИФП д.ф.-м.н.В.Овсюк, вдова С.Свиташева.
Выступавшими подчеркнута громадная роль К.Свиташева в решении
проблем Сибирской науки и в обеспечении успешного развития
Сибирского отделения и Института физики полупроводников, в
частности. Мы склоняем голову перед светлой памятью Константина
Константиновича Свиташева.
стр.
|
