Печатная версия
Архив / Поиск

Archives
Archives
Archiv

Редакция
и контакты

К 50-летию СО РАН
Фотогалерея
Приложения
Научные СМИ
Портал СО РАН

© «Наука в Сибири», 2019

Сайт разработан и поддерживается
Институтом вычислительных
технологий СО РАН

При перепечатке материалов
или использованиии
опубликованной
в «НВС» информации
ссылка на газету обязательна

Наука в Сибири Выходит с 4 июля 1961 г.
On-line версия: www.sbras.info | Новости | Архив c 1961 по текущий год (в формате pdf), упорядоченный по годам
 
в оглавлениеN 19 (2704) 14 мая 2009 г.

ГРАНТ ИСПОЛЬЗОВАН
ЭФФЕКТИВНО

Иллюстрация

Аспиранты Андрей Журавлев и Константин Торопецкий экспериментально изучают свойства поверхности арсенида галлия с адсорбатами в сверхвысоком вакууме на электронном спектрометре в лаборатории неравновесных процессов полупроводниковых структур Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. Андрей Журавлев работает в лаборатории со второго курса физического факультета НГУ.

После получения степени магистра и окончания университета поступил в аспирантуру института. В настоящее время Андрей готовит к защите кандидатскую диссертацию. В конце прошлого года Андрей Журавлев выиграл грант мэрии Новосибирска для молодых ученых на выполнение проекта по исследованию модификации атомной структуры и электронных свойств поверхности арсенида галлия с помощью изовалентного замещения атомов мышьяка атомами сурьмы. В работе впервые был обнаружен сверхструктурный переход на поверхности арсенида галлия, индуцированный сурьмой.

Иллюстрация
Аспиранты Андрей Журавлев (на снимке слева) и Константин Торопецкий

Проект является частью исследований, проводимых в ИФП СО РАН под руководством заведующего лабораторией неравновесных процессов в полупроводниковых структурах профессора А. С. Терехова и направленных на разработку научных основ технологии полупроводниковых фотокатодов с отрицательным электронным сродством и фотоэлектронных приборов на их основе. Эти исследования проводятся в тесном сотрудничестве с новосибирским предприятием ОАО «Катод», которое является ведущим российским производителем фотоэлектронных приборов с полупроводниковыми фотокатодами.

стр. 5

в оглавление

Версия для печати  
(постоянный адрес статьи) 

http://www.sbras.ru/HBC/hbc.phtml?7+502+1