МАСТЕР НАУКИ И ТЕХНОЛОГИИ
Коллектив Лаборатории № 15 Института физики полупроводников сердечно поздравляет с 70-летием своего руководителя Юрия Георгиевича Сидорова, крупного ученого и технолога в области полупроводникового материаловедения.
 |
|
Свой юбилей Юрий Георгиевич встречает полным сил и энергии. В 1963 г. Ю. Г. Сидоров окончил Московский институт тонкой химической технологии
им. М. В. Ломоносова по специальности инженер-технолог и, к счастью, был распределен в новосибирский Академгородок, в только что созданный Институт твердого тела, который возглавлял А. В. Ржанов. В атмосфере тех лет, когда молодые энергичные люди, только что получившие высшее образование, под руководством зрелых и маститых ученых начали создавать науку в Сибири, он начал свою плодотворную научную деятельность. С тех давних пор и по сей день Ю. Г. Сидоров трудится в родном институте с единственной записью в трудовой книжке о приеме его на работу. Он прошел путь от рядового научного сотрудника до руководителя отдела, защитил докторскую диссертацию, стал профессором. А это немало. Ю. Г. Сидоров — автор и соавтор более 200 научных работ и изобретений, он неоднократно выступал с докладами, в том числе с приглашенными, на всесоюзных и международных конференциях и симпозиумах. Под его руководством подготовлены многие научные кадры, защитившие кандидатские диссертации. За свои трудовые заслуги Ю. Г. Сидоров награжден медалью ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени, грамотами и дипломами, почетным знаком «Заслуженный ветеран СО РАН».
Ю. Г. Сидоров — ведущий специалист, имеющий мировую известность в области физической химии и технологии полупроводниковых материалов. Основное направление его исследований — механизмы роста и формирования дефектов в эпитаксиальных пленках и кристаллах полупроводников и разработка физико-химических основ технологии выращивания полупроводниковых материалов. Ю. Г. Сидорову принадлежит приоритет в обнаружении термически перестраиваемых дефектов в эпитаксиальных пленках арсенида галлия и различных видов разупорядочения на начальных стадиях гетероэпитаксии.
Под руководством Ю. Г. Сидорова в Институте физики полупроводников проводятся фундаментальные исследования процессов роста и механизмов дефектообразования в узкозонных полупроводниковых соединениях в методе молекулярно-лучевой эпитаксии. Молекулярно-лучевая эпитаксия относится к высоким технологиям и соответствует передовому мировому уровню получения различных гетероэпитаксиальных структур. За последние десять лет под руководством
Ю. Г. Сидорова создано высокотехнологичное сверхвысоковакуумное и аналитическое оборудование и разработана единственная в России технология молекулярно-лучевой эпитаксии узкозонных твердых растворов теллуридов кадмия и ртути. Благодаря этой технологии Россия обладает фоточувствительным материалом для создания большеформатной инфракрасной тепловизионной техники, работающей в окнах прозрачности атмосферы 3–5 и 8–14 мкм. В настоящее время под руководством Ю. Г. Сидорова организовано мелкосерийное производство эпитаксиальных структур и многоэлементных матричных ИК фотоприемников.
Разработанные Ю. Г. Сидоровым принципы и методология постановки технологических процессов получения эпитаксиальных слоев прошли проверку на практике и используются при создании широкого круга полупроводниковых материалов и приборов.
С днем рождения, дорогой Юрий Георгиевич!
Счастья и здоровья Вам и Вашим близким!
Больших творческих успехов и новых открытий в науке и жизни!
Коллектив Лаборатории № 15
ИФП СО РАН
стр. 12
| 
