Печатная версия
Архив / Поиск

Archives
Archives
Archiv

О газете
Редакция
и контакты

Подписка на «НВС»
Прайс-лист
на объявления и рекламу

К 50-летию СО РАН
Фотогалерея
Приложения
Научные СМИ
Портал СО РАН

© «Наука в Сибири», 2017

Сайт разработан и поддерживается
Институтом вычислительных
технологий СО РАН

При перепечатке материалов
или использованиии
опубликованной
в «НВС» информации
ссылка на газету обязательна

Наука в Сибири Выходит с 4 июля 1961 г.
On-line версия: www.sbras.info | Новости
 
в оглавлениеN 14 (2749) 8 апреля 2010 г.

МАСТЕР НАУКИ И ТЕХНОЛОГИИ

Коллектив Лаборатории № 15 Института физики полупроводников сердечно поздравляет с 70-летием своего руководителя Юрия Георгиевича Сидорова, крупного ученого и технолога в области полупроводникового материаловедения.

Иллюстрация

Свой юбилей Юрий Георгиевич встречает полным сил и энергии. В 1963 г. Ю. Г. Сидоров окончил Московский институт тонкой химической технологии им. М. В. Ломоносова по специальности инженер-технолог и, к счастью, был распределен в новосибирский Академгородок, в только что созданный Институт твердого тела, который возглавлял А. В. Ржанов. В атмосфере тех лет, когда молодые энергичные люди, только что получившие высшее образование, под руководством зрелых и маститых ученых начали создавать науку в Сибири, он начал свою плодотворную научную деятельность. С тех давних пор и по сей день Ю. Г. Сидоров трудится в родном институте с единственной записью в трудовой книжке о приеме его на работу. Он прошел путь от рядового научного сотрудника до руководителя отдела, защитил докторскую диссертацию, стал профессором. А это немало. Ю. Г. Сидоров — автор и соавтор более 200 научных работ и изобретений, он неоднократно выступал с докладами, в том числе с приглашенными, на всесоюзных и международных конференциях и симпозиумах. Под его руководством подготовлены многие научные кадры, защитившие кандидатские диссертации. За свои трудовые заслуги Ю. Г. Сидоров награжден медалью ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени, грамотами и дипломами, почетным знаком «Заслуженный ветеран СО РАН».

Ю. Г. Сидоров — ведущий специалист, имеющий мировую известность в области физической химии и технологии полупроводниковых материалов. Основное направление его исследований — механизмы роста и формирования дефектов в эпитаксиальных пленках и кристаллах полупроводников и разработка физико-химических основ технологии выращивания полупроводниковых материалов. Ю. Г. Сидорову принадлежит приоритет в обнаружении термически перестраиваемых дефектов в эпитаксиальных пленках арсенида галлия и различных видов разупорядочения на начальных стадиях гетероэпитаксии.

Под руководством Ю. Г. Сидорова в Институте физики полупроводников проводятся фундаментальные исследования процессов роста и механизмов дефектообразования в узкозонных полупроводниковых соединениях в методе молекулярно-лучевой эпитаксии. Молекулярно-лучевая эпитаксия относится к высоким технологиям и соответствует передовому мировому уровню получения различных гетероэпитаксиальных структур. За последние десять лет под руководством Ю. Г. Сидорова создано высокотехнологичное сверхвысоковакуумное и аналитическое оборудование и разработана единственная в России технология молекулярно-лучевой эпитаксии узкозонных твердых растворов теллуридов кадмия и ртути. Благодаря этой технологии Россия обладает фоточувствительным материалом для создания большеформатной инфракрасной тепловизионной техники, работающей в окнах прозрачности атмосферы 3–5 и 8–14 мкм. В настоящее время под руководством Ю. Г. Сидорова организовано мелкосерийное производство эпитаксиальных структур и многоэлементных матричных ИК фотоприемников.

Разработанные Ю. Г. Сидоровым принципы и методология постановки технологических процессов получения эпитаксиальных слоев прошли проверку на практике и используются при создании широкого круга полупроводниковых материалов и приборов.

С днем рождения, дорогой Юрий Георгиевич!

Счастья и здоровья Вам и Вашим близким!

Больших творческих успехов и новых открытий в науке и жизни!

Коллектив Лаборатории № 15
ИФП СО РАН

стр. 12

в оглавление

Версия для печати  
(постоянный адрес статьи) 

http://www.sbras.ru/HBC/hbc.phtml?16+541+1