Печатная версия
Архив / Поиск

Archives
Archives
Archiv

Редакция
и контакты

К 50-летию СО РАН
Фотогалерея
Приложения
Научные СМИ
Портал СО РАН

© «Наука в Сибири», 2024

Сайт разработан
Институтом вычислительных
технологий СО РАН

При перепечатке материалов
или использованиии
опубликованной
в «НВС» информации
ссылка на газету обязательна

Наука в Сибири Выходит с 4 июля 1961 г.
On-line версия: www.sbras.info | Архив c 1961 по текущий год (в формате pdf), упорядоченный по годам см. здесь
 
в оглавлениеN 14 (2749) 8 апреля 2010 г.

СЫН ОТЕЧЕСТВА

9 апреля 2010 года Анатолию Васильевичу Ржанову исполнилось бы 90 лет. Хотя и говорят, что время лечит, но до сих пор трудно и больно говорить о том, что с нами нет Анатолия Васильевича — прекрасного Человека, Солдата Великой Отечественной войны, академика.

А.Л. Асеев, И.Г. Неизвестный

Иллюстрация

Он вырос в самые тяжёлые для нашей прекрасной Родины 20—30-е годы. Как сын военного, переменил много мест жительства, но школу посчастливилось закончить в Ленинграде. Отсюда же в 1941 году, досрочно защитив диплом в Ленинградском политехническом институте, добровольцем ушёл на фронт. Сражался в рядах морской пехоты на знаменитом Ораниенбаумском пятачке. В 1943 он уже командовал отрядом разведчиков морской пехоты и неоднократно совершал дерзкие вылазки в тыл врага. В одной из боевых операций был тяжело ранен. Госпитали, операции, больничные койки. И так несколько лет.

Как только позволило здоровье, Анатолий Васильевич поступает в аспирантуру знаменитого Физического института им. П. Н. Лебедева, которую блестяще заканчивает в 1948 году. Несмотря на очень заманчивые перспективы в развитии керамических пьезоэлектриков, которые он показал в своей диссертации, по поручению тогдашнего директора ФИАНа (одновременно Президента АН СССР) С. И. Вавилова переключился на исследования полупроводников. Совместно с группой таких же энтузиастов нового направления в лаборатории академика Б. М. Вула были выращены первые монокристаллы германия и проведены первые исследования его свойств. Затем был изготовлен первый в нашей стране транзистор. (Как бы в подарок ко дню рождения в февральском номере «Вестника РАН» опубликована статья В. М. Березовской «ФИАН — создатель первого российского транзистора», где подробно излагается роль А. В. Ржанова в этом событии). С тех пор научные интересы А. В. Ржанова навсегда связаны с полупроводниками.

В 1962 году по приглашению академика М. А. Лаврентьева он с группой сотрудников переезжает в новосибирский Академгородок, где по постановлению Совета министров СССР организует Институт физики твёрдого тела и полупроводниковой электроники (после объединения в 1964 году с Институтом радиоэлектроники — Институт физики полупроводников). Надо отметить, что в это время Анатолий Васильевич кроме работы в ФИАН, занимал пост учёного секретаря Государственного Комитета СМ СССР по координации научных работ.

После переезда в Сибирское отделение за относительно короткое время был создан коллектив учёных и инженеров, способных выполнять глубокие фундаментальные и прикладные исследования. В числе таких разработок можно упомянуть энергонезависимые матричные элементы памяти, различные приборы и устройства СВЧ-электроники и фотоприёмные устройства от видимого до дальнего инфракрасного диапазона спектра излучения. Причём эти разработки использовались не только полупроводниковыми предприятиями Новосибирска, но и другими ведущими производителями полупроводниковых приборов по всей стране.

Анатолий Васильевич много сил отдавал воспитанию молодых кадров. Он руководил многочисленными аспирантами, организовал в НГУ кафедру физики полупроводников. Его лекции по физике поверхности полупроводников, прочитанные в НГУ и изданные затем в виде учебных пособий, его монографии до сих пор помогают молодёжи разбираться в этом сложном разделе физики полупроводников. В числе его учеников сейчас уже насчитывается один академик и четыре члена корреспондента, десятки докторов и кандидатов наук.

Плодотворную научную работу А. В. Ржанов успешно сочетал с научно-организационной деятельностью. Долгое время он являлся заместителем председателя Сибирского отделения АН ССССР, зам. председателя Научного совета по физике и химии полупроводников, главным редактором журнала «Микроэлектроника», председателем комиссии по элементной базе Комитета по вычислительной технике АН СССР. В течение многих лет представлял нашу страну в Международном вакуумном союзе. За мужество и героизм, проявленные на фронте, он был награждён боевыми орденами и медалями. За заслуги в мирное время — орденами Ленина, Трудового Красного Знамени, Октябрьской Революции.

Он был очень добрым человеком, без оглядки кидался на защиту своих сотрудников и друзей, попавших в беду. Бескомпромиссно боролся с возникающими на сложном пути руководителя недобросовестностью, нечестностью и другими жизненными неприятностями, проявляя все качества отважного командира-разведчика, приобретённые им в боевых условиях на фронте.

Анатолий Васильевич любил жизнь во всех её проявлениях. На своём катере он объездил Обское водохранилище и спускался далеко вниз по Оби. Исходил с ружьём большую часть Новосибирской области. Азартно спорил не только на научные темы, но и по поводу проблем литературы, музыки, истории, живописи. И почти всегда одерживал верх в возникающих дискуссиях благодаря своей широчайшей эрудиции в самых разных областях человеческой деятельности. Его с полным основанием можно было назвать одним из немногих энциклопедически образованных людей нашего времени.

Он очень любил свою семью — жену, детей и особенно внуков, которым отдавал в последние годы своей жизни большую часть времени.

Хочется закончить это краткое воспоминание об Анатолии Васильевиче Ржанове словами поэта:

«Не говори с тоской — их нет, но с благодарностию: БЫЛИ!»

стр. 2

в оглавление

Версия для печати  
(постоянный адрес статьи) 

http://www.sbras.ru/HBC/hbc.phtml?6+541+1