Члену-корреспонденту РАН С.Богданову — 80
Дорогой Сергей Васильевич!
Президиум Сибирского отделения Российской академии наук
поздравляет вас с восьмидесятилетием и желает вам здоровья,
творческого долголетия и новых свершений.
Закончив аспирантуру знаменитого Физического института им.
П.Н.Лебедева АН СССР, защитив кандидатскую и подготовив
докторскую диссертацию, вы в 1963 году связали свою жизнь с
Институтом физики полупроводников СО РАН и с новосибирским
Академгородком. Ваш талант исследователя проявился уже на первом
этапе научного пути в ФИАНе, где вы детально исследовали
пьезоэлектрические свойства керамического титаната бария. В
дальнейшем вами была создана стройная и законченная теория
физических явлений в пьезоэлектриках, в этом весьма сложном
классе новых материалов, явившаяся основой развития
оптоэлектроники и акустоэлектроники, одним из основателей которых
вы признаны мировой научной общественностью.
Работы, выполненные вами и под вашим руководством вашими
учениками, привели к созданию многочисленных семейств акусто- и
оптоэлектронных устройств и приборов, большинство из которых до
сих пор активно используется как в гражданской, так и в оборонной
технике.
Большое внимание вы уделяли подготовке молодых научных кадров,
долгие годы работая на кафедре полупроводников в НГУ. Среди ваших
учеников три доктора и около двух десятков кандидатов наук.
Ваши заслуги перед Родиной отмечены двумя орденами и медалью.
Ваши работы удостаивались государственных премий в 1974 и в 1993
годах.
Ученые Сибирского отделения РАН от всей души поздравляют вас,
дорогой Сергей Васильевич, с юбилеем, искренне желают вам
здоровья, творческого долголетия, продолжения активной трудовой
деятельности на благо нашей Родины!
Председатель Сибирского отделения
академик Н.Добрецов
Главный ученый секретарь Отделения
чл.-к. РАН В.Фомин
стр.
| 
