Печатная версия
Архив / Поиск

Archives
Archives
Archiv

Редакция
и контакты

К 50-летию СО РАН
Фотогалерея
Приложения
Научные СМИ
Портал СО РАН

© «Наука в Сибири», 2019

Сайт разработан и поддерживается
Институтом вычислительных
технологий СО РАН

При перепечатке материалов
или использованиии
опубликованной
в «НВС» информации
ссылка на газету обязательна

Наука в Сибири Выходит с 4 июля 1961 г.
On-line версия: www.sbras.info | Новости | Архив c 1961 по текущий год (в формате pdf), упорядоченный по годам
 
в оглавлениеN 38-39 (2773-2774) 30 сентября 2010 г.

СЕНТЯБРЬСКИЕ КОНФЕРЕНЦИИ
ИНСТИТУТА
СИЛЬНОТОЧНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

С 19 по 24 сентября в Томском научном центре СО РАН на базе Института сильноточной электроники прошли два параллельных научных мероприятия: XVI Международный симпозиум по сильноточной электронике и X Международная конференция по модификации материалов пучками заряженных частиц и потоками плазмы. Они традиционно проходят в Томске каждые два года.

Екатерина Пустолякова, Центр общественных связей СО РАН

Научная программа конференций была построена таким образом, чтобы максимально способствовать общению специалистов из обеих отраслей науки. Институт сильноточной электроники СО РАН, выступающий одним из организаторов форума, активно работает и в той, и в другой области. Ученые обсудили вопросы генерации сверхмощных электрических импульсов, получения и транспортировки интенсивных потоков заряженных частиц и плазмы, СВЧ, оптического и рентгеновского излучений, а также проблемы использования пучков частиц и плазмы в технологических целях: для модификации функциональных свойств материалов. Доклады представили около 200 участников из 11 стран мира, в том числе и из 30 городов России.

На открытии форума выступил председатель Президиума Томского научного центра СО РАН д.ф.-м.н. С. Г. Псахье. Он отметил, что «серия конференций, посвященных сильноточной электронике, не случайно проводится именно в Томске: наш город является одним из признанных центров этой области науки, а ИСЭ СО РАН — безусловно, в числе флагманов сильноточной электроники не только в России, но и во всем мире».

Председатель комитета по науке и инновациям администрации Томской области А. Б. Пушкаренко, приветствуя участников конференций, коротко обрисовал положение науки в регионе: «В Томске наука действительно считается отраслью: её вклад в областной ВВП больше, чем у энергетиков, и в нём есть изрядная доля науки фундаментальной».

Директор Института сильноточной электроники СО РАН чл.-корр. РАН Н. А. Ратахин, пожелав участникам успешного научного общения, вместе с тем выразил сожаление, что по объективным причинам в Томск не смог приехать научный руководитель ИСЭ СО РАН вице-президент Российской академии наук академик Геннадий Андреевич Месяц — основоположник импульсной энергетики, отрасли, лежащей в основе сильноточной электроники и большинства ее применений.

Научную программу обеих конференций открыли общие пленарные доклады, первый из которых был сделан Н. А. Ратахиным. Он рассказал о новых разработках ИСЭ СО РАН. Одна из новинок — усилитель фемтосекундных лазерных импульсов ультрафиолетового диапазона, построенный на основе сильноточного электронного ускорителя. Уникальная установка, созданная совместно с Физическим институтом имени П. Н. Лебедева РАН и имеющая мультитераваттную импульсную мощность, будет использована для фундаментальных исследований вещества в условиях экстремально высокой плотности энергии электромагнитного поля. С другой стороны, она позволяет отрабатывать физические и инженерные принципы получения коротких лазерных импульсов сверхвысокой мощности в системах с газовыми активными средами, которые выгодно отличаются от твердотельных простотой и низкой стоимостью. Электронный ускоритель для лазера разработан в Отделе импульсной техники ИСЭ СО РАН под руководством академика Б. М. Ковальчука. «Как показали эксперименты, система вполне работоспособна, и сейчас мы, по договоренности с ФИАН и академиком Г. А. Месяцем, начинаем реализовывать её у себя. В нашем институте уже создан и запущен второй лазерный комплекс, отличающийся от поставленного в Москву типом генератора импульсов и, как следствие, большей энергетикой. Специально для этой установки в ИСЭ СО РАН оборудован бункер с особо чистыми условиями. В этом году мы намерены получить 20-тераваттные импульсы излучения, а в следующем — выйти на мощность в 80 тераватт», — пояснил Н. А. Ратахин.

стр. 13

в оглавление

Версия для печати  
(постоянный адрес статьи) 

http://www.sbras.ru/HBC/hbc.phtml?19+562+1