Печатная версия
Архив / Поиск

Archives
Archives
Archiv

Редакция
и контакты

К 50-летию СО РАН
Фотогалерея
Приложения
Научные СМИ
Портал СО РАН

© «Наука в Сибири», 2024

Сайт разработан
Институтом вычислительных
технологий СО РАН

При перепечатке материалов
или использованиии
опубликованной
в «НВС» информации
ссылка на газету обязательна

Наука в Сибири Выходит с 4 июля 1961 г.
On-line версия: www.sbras.info | Архив c 1961 по текущий год (в формате pdf), упорядоченный по годам см. здесь
 
в оглавлениеN 9 (2794) 3 марта 2011 г.

СТИПЕНДИИ ДЛЯ ПРОФЕССОРОВ

8 февраля в Администрации Томской области состоялось торжественное собрание, посвященное Дню российской науки. Губернатор области Виктор Кресс обратился с традиционным приветственным словом к научной общественности, затем вручил награды томичам, внесшим значительный вклад в развитие научно-образовательной сферы.

Состоялось чествование победителей различных конкурсов в сфере образования, науки, здравоохранения и культуры, проведенных администрацией Томской области в 2010 году. В частности, на праздничном вечере были вручены пять именных сертификатов губернаторской стипендии для профессоров на 2011 год. Одним из стипендиатов стал Николай Николаевич Коваль, заместитель директора по научной работе и заведующий лабораторией плазменной эмиссионной электроники ИСЭ СО РАН. Н. Н. Коваль — известный специалист в области плазменной эмиссионной электроники и электронно-ионно-плазменной модификации поверхности материалов и изделий. Основное направление его научной деятельности связано с исследованием разрядов низкого давления, генерацией низкотемпературной плазмы в таких разрядах, а также использованием плазмы в качестве эффективного эмиттера заряженных частиц. Учёным внесён определяющий вклад в понимание процессов эффективной эмиссии электронов в структурах с сетчатой стабилизацией плазменной эмиссионной поверхности. Это позволило предложить и создать ряд новых плазменных электронных источников, которые по совокупности основных параметров превосходят мировые аналоги.

Иллюстрация
Профессор Н. Н. Коваль и губернатор Томской области В. М. Кресс.

Николай Николаевич успешно применяет результаты своих научных исследований для создания новых электронно-ионно-плазменных технологий модификации свойств поверхности материалов и изделий с целью кратного увеличения их срока службы. Электронно-ионно-плазменные установки серии «SOLO», «DUET», «TRIO», «QUADRO», созданные под его руководством, поставляются в Канаду, Японию и Китай. В России (на различных предприятиях) используется более 30 источников «ПИНК», тоже разработанных под руководством губернаторского стипендиата. Эти исследования имеют большое значение и для нужд Томской области.

Научный коллектив, который возглавляет учёный, провел цикл исследований по генерации низкотемпературной плазмы в больших объемах с использованием оригинальных форм разрядов низкого давления. Удалось получить результаты, позволившие создать ряд новых технологий упрочнения поверхности материалов и изделий. Это технология электродугового азотирования: она в несколько раз эффективнее как по энергозатратам, так и по времени обработки по сравнению с традиционными технологиями азотирования. Также речь идет о комплексной технологии электродугового плазменно-ассистированного напыления сверхтвёрдых наноструктурных покрытий на инструменты, штамповую оснастку и пары трения и о технологии импульсной электронно-пучковой модификации поверхности с целью её выглаживания и упрочнения.

Сейчас отлаживаются технологические режимы обработки ряда материалов и изделий. Администрацией Томской области принято решение о создании в Томске регионального центра упрочнения, который будет оснащаться разработанным оборудованием и использовать созданные технологии.

Н. Н. Коваль успешно совмещает научную деятельность с преподавательской работой в двух старейших томских вузах. Он является профессором кафедры физики плазмы Томского государственного университета и профессором кафедры сильноточной электроники Томского политехнического университета. Николай Николаевич читает курсы лекций, ведет практические занятия и лабораторные работы по курсам «Пучковые и плазменные технологии» и «Физические основы электронно-ионно-плазменных технологий».

стр. 9

в оглавление

Версия для печати  
(постоянный адрес статьи) 

http://www.sbras.ru/HBC/hbc.phtml?21+581+1