НАНУ — СО РАН:
НОВЫЙ ВИТОК СОТРУДНИЧЕСТВА
C 13 по 15 апреля в рамках визита делегации Новосибирской области во главе с губернатором В. А. Юрченко в г.Киев и проведения форума «Перспективы развития сотрудничества регионов Украины и Сибири» делегация СО РАН во главе с вице-президентом РАН, председателем СО РАН академиком А. Л. Асеевым посетила Национальную академию наук Украины, где состоялось конструктивное обсуждение состояния и перспектив двустороннего сотрудничества двух академий.
Стороны подчеркнули, что их объединяют прочные и дружественные отношения, а научное сотрудничество служит интересам укрепления братских связей между народами России и Украины. В связи с этим 14 апреля 2011 г. академики А. Л. Асеев и Б. Е. Патон подписали обновлённый Договор о научном сотрудничестве между Национальной академией наук Украины и Сибирским отделением Российской академии наук. Неотъемлемой его частью является Перечень приоритетных направлений совместных исследований, который будет утверждён в ближайшее время.
Для повышения эффективности сотрудничества стороны будут объединять усилия в отношении совместного финансирования интеграционных проектов, представляющих взаимный интерес. Их финансирование может осуществляться на паритетных началах или согласовываться в каждом конкретном случае. Стороны также намерены поощрять инвестирование в создание совместных производств, выпускающих наукоёмкую продукцию.
Ответный визит делегации НАНУ в Новосибирск планируется в текущем году.
В ознаменование многолетней дружбы
В связи с 50-летием Института физики полупроводников
им. В. Е. Лашкарёва НАН Украины и в ознаменование многолетней совместной работы и дружбы с Институтом физики полупроводников
им. А. В. Ржанова СО РАН дирекция и учёный совет института наградили академика Александра Леонидовича Асеева, директора ИФП СО РАН, председателя Сибирского отделения Российской академии наук, юбилейным знаком «Вадим Евгеньевич Лашкарёв».
Плодотворное сотрудничество двух институтов началось ещё при академиках А. В. Ржанове и В. Е. Лашкарёве и успешно продолжается до сих пор. Последний пример — разработка и получение большеформатных (640×512 пикселов) фотоприёмных матриц инфракрасного диапазона на основе гетероэпитаксиальных структур кадмий — ртуть — теллур. Со стороны ИФП СО РАН работу ведёт проф. Ю. Г. Сидоров, со стороны ИФП НАНУ — чл.-корр. НАНУ Ф. Ф. Сизов.
Выдающийся советский учёный академик Вадим Евгеньевич Лашкарёв — один из пионеров в области создания транзисторов. Ещё
в 1941 году он опубликовал статью «Исследование запирающих слоёв методом термозонда» (ИАН СССР. Сер. физ. Т. 5), в которой установил, что обе стороны «запорного слоя», расположенного параллельно границе раздела медь — закись меди, имеют противоположные знаки. Это явление получило название p-n перехода (p — от positive, n — от negative). В. Е. Лашкарёв раскрыл и механизм инжекции — важнейшего явления, на основе которого действуют транзисторы.
Первое сообщение в американской печати о появлении полупроводникового транзистора появилось в 1948 году, спустя семь лет после статьи В. Е. Лашкарёва. Джон Бардин и Уолтер Браттейн пошли по пути создания точечного транзистора на базе кристалла германия n-типа. Однако этот прибор не отличался устойчивостью и надёжностью в работе, поэтому практического применения не получил. В 1951 году Уильям Шокли создал более надёжный транзистор p-n-p типа, состоявший из трёх слоёв германия. Уже через несколько лет значимость изобретения американских учёных стала очевидной, и в 1956 году Бардин, Шокли и Браттейн были удостоены Нобелевской премии.
К сожалению, как это неоднократно бывало в истории науки, «холодная война» и «железный занавес» сыграли свою роль, и советский учёный нобелевским лауреатом не стал. Но до конца жизни (1974 г.) он продолжал заниматься исследованием физических свойств полупроводников. В 1960 году В. Е. Лашкарёв основал и возглавил Институт физики полупроводников АН УССР. В 2002 году ИФП НАН Украины было присвоено его имя.
Соб. инф.
стр. 3
| 
