Печатная версия
Архив / Поиск

Archives
Archives
Archiv

Редакция
и контакты

К 50-летию СО РАН
Фотогалерея
Приложения
Научные СМИ
Портал СО РАН

© «Наука в Сибири», 2024

Сайт разработан
Институтом вычислительных
технологий СО РАН

При перепечатке материалов
или использованиии
опубликованной
в «НВС» информации
ссылка на газету обязательна

Наука в Сибири Выходит с 4 июля 1961 г.
On-line версия: www.sbras.info | Архив c 1961 по текущий год (в формате pdf), упорядоченный по годам см. здесь
 
в оглавлениеN 28-29 (2863-2864) 26 июля 2012 г.

ВИЗИТ ДЕЛЕГАЦИИ
«РОСЭЛЕКТРОНИКИ»

21 июля представительная делегация Минпромторга РФ и ОАО «Росэлектроника» посетила Сибирское отделение РАН.

В составе делегации — директор департамента радиоэлектронной промышленности Минпромторга РФ А. С. Якунин, генеральные директора ОАО «Росэлектроника» А. В. Зверев, ОАО «Московский завод «Сапфир» Д. А. Гиндин, ОАО «Государственный институт прикладной оптики» (г.Казань) В. П. Иванов, а также директор Новосибирского завода полупроводниковых приборов В. И. Исюк.

Иллюстрация
А. В. Зверев и А. Л. Асеев.

В обстоятельной беседе с председателем Отделения академиком А. Л. Асеевым состоялось обсуждение задач развития отечественной электронной компонентной базы, поставленных Правительством РФ и сформулированных в последних поручениях Президента РФ В. В. Путина и вице-премьера Д. О. Рогозина. Высокую оценку со стороны гостей получил потенциал институтов СО РАН по развитию отечественной микро-, опто-, СВЧ- и наноэлектроники, полимерной (пластиковой) электроники, а также работы по созданию новых материалов для высокоэффективных аккмуляторов электрической энергии и суперконденсаторов и энергосберегающих систем на их основе.

Иллюстрация
В лаборатории ИФП (А. Л. Асеев, А. В. Зверев, Э. В. Скубневский, В. И. Исюк, А. С. Якунин, М. В. Якушев).

При посещении Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН гости подробно ознакомились с новейшими разработками института: квантовыми наногетероструктурами для различных применений, большеформатными матрицами для инфракрасных фотоприемников и оптико-электронными системами на их основе, биосенсорами на основе нанопроволочных транзисторов, однофотонными излучателями для систем передачи информации, лавинными диодами, кремниевыми наностандартами, системой квантовой криптографии и многими другими.

Необходимо отметить, что институты СО РАН и предприятия «Росэлектроники» связывают многие годы успешной совместной работы. Признано, что научные и прикладные результаты институтов Сибирского отделения РАН с учётом уникальности научно-образовательной и инновационной систем новосибирского Академгородка, опыта взаимодействия с предприятиями отрасли создают необходимые условия для быстрейшего решения поставленных задач. В результате визита намечены конкретные меры по существенному усилению работ в области современной электроники в системе Сибирского отделения РАН, на территории новосибирского Академгородка, в целом в Сибирском регионе, включая институты СО РАН и предприятия отрасли в Новосибирске, Томске, Красноярске и Иркутске.

Наш корр.
Фото В. Яковлева

стр. 1

в оглавление

Версия для печати  
(постоянный адрес статьи) 

http://www.sbras.ru/HBC/hbc.phtml?1+643+1