«Наука в Сибири»
№ 25 (2660)
20 июня 2008 г.

НОВОСТИ

Поздравление Президента РФ

В адрес Института экономики и организации промышленного производства поступила поздравительная телеграмма от Президента Российской Федерации Д. А. Медведева:

«Уважаемые друзья!

Поздравляю вас с юбилеем — 50-летием со дня основания Института экономики и организации промышленного производства Сибирского отделения РАН.

За полвека он превратился в многопрофильный научный и образовательный центр, пользующийся заслуженным авторитетом и уважением в нашей стране и за рубежом. В его стенах рождались смелые теории и проводились уникальные комплексные исследования. Здесь создавались новые методики и разрабатывались стратегические программы развития Сибири.

Отрадно, что сегодня институт динамично развивается и его научно-образовательные возможности растут. Уверен, что ваш коллектив будет вносить весомый вклад в дальнейший подъем отечественной науки и сделает все необходимое, чтобы ее потенциал помогал в решении стоящих перед Россией долгосрочных задач. Желаю вам новых достижений и всего самого доброго».

Общее собрание СО РАН состоится 30 июня

В повестке дня — доклад председателя СО РАН ак. А.Л. Асеева об основных направлениях деятельности Сибирского отделения в 2008-2013 гг.

О дополнениях к Уставу Сибирского отделения доложит председатель Уставной комиссии СО РАН ак. В.М. Фомин.

Предстоят также довыборы руководства Отделения, выборы нового состава Президиума СО РАН и Почетного председателя СО РАН.

Совет РФФИ возглавил академик Панченко

Премьер-министр РФ В.В. Путин назначил академика РАН В. Я. Панченко председателем совета Российского фонда фундаментальных исследований, говорится в распоряжении от 9 июня.

Тем же распоряжением от должности главы совета крупнейшей российской государственной грантообразующей организации освобожден академик РАН  В. Ю. Хомич, занимавший этот пост с ноября 2003 года.

Академик  В. Я. Панченко состоит в Отделении нанотехнологий и информационных технологий, возглавляет Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН.

стр. 1