«Наука в Сибири»
№ 45 (2930)
14 ноября 2013 г.

НОВОСТИ

Демидовская премия — 2013

В понедельник, 11 ноября, в Москве в Президиуме РАН состоялось представление лауреатов Демидовской премии 2013 года. Ими стали академики Юрий Леонидович Ершов, Александр Сергеевич Спирин и Климент Николаевич Трубецкой.

Академик Ю. Л. Ершов удостоен премии за выдающиеся заслуги в развитии математической логики, А. С. Спирину премия присуждена за выдающийся вклад в изучение биологических основ функционирования живой клетки, К. Н. Трубецкой награждён за выдающиеся заслуги в области горного дела.

Премию для учёных учредил в 1831 году крупный уральский промышленник Павел Николаевич Демидов, «желая содействовать преуспеянию наук, словесности и промышленности в своём отечестве». Ежегодно на премии меценат выделял 20 тысяч рублей государственными ассигнациями, а само присуждение предоставил Российской Императорской академии наук как «первенствующему учёному сословию в империи». По оставленному завещанию деньги на эти цели поступали в течение 25 лет и выплачивались вплоть до 1866 года.

В 1993 году Демидовская премия была возрождена по инициативе вице-президента РАН академика Г. А. Месяца в результате объединения усилий уральских учёных, предпринимателей и руководства Свердловской области.

Вручение премий состоится в День российской науки в будущем феврале. В настоящее время денежная часть премии составляет 1 млн руб. на каждого лауреата.

Общее собрание состоится в декабре

Президиум СО РАН принял постановление о проведении Общего собрания Сибирского отделения Российской академии наук 23–24 декабря 2013 года.

В преддверии «Технопрома»

На выставке в рамках первого международного форума технологического развития «Технопром-2013», который пройдёт в «Экспоцентре Новосибирск» 14–15 ноября, учёные Сибирского отделения представят свои инновационные разработки. Накануне некоторые из них были представлены журналистам.

Иллюстрация
Заместитель директора Института ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН д.ф.-м.н. А.А. Иванов демонстрирует стенд для разработки мощных инжекторов нейтральных пучков.
Иллюстрация
В Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН разработана уникальная технология производства твёрдых растворов теллуридов кадмия и ртути — основного материала для создания фоточувствительных элементов современных систем инфракрасной техники. Для его изготовления применяется метод молекулярно-лучевой эпитаксии, а изготовление ведётся на многокамерной установке молекулярно-лучевой эпитаксии «Обь-М».

Кадры

Член-корреспондент РАН Бабин Сергей Алексеевич, доктора технических наук Киричук Валерий Сергеевич и Потатуркин Олег Иосифович утверждены в должности заместителей директора по научной работе Института автоматики и электрометрии СО РАН на новый срок.

Доктор химических наук Ломовский Олег Иванович утверждён в должности заместителя директора по научной работе Института химии твёрдого тела и механохимии СО РАН на новый срок.

Фото В. Новикова

стр. 1