«Наука в Сибири» МИР БЕЗ ГРАНИЦ
С 2007 года действует двустороннее соглашение о сотрудничестве между Институтом сильноточной электроники СО РАН и Институтом физики плазмы и технологий Общества Лейбница (INP, Грайфсвальд, Германия). Томские учёные уже не раз побывали в зарубежных командировках. Совсем недавно из Германии вернулись специалисты лаборатории вакуумной электроники — старший научный сотрудник С. А. Попов и ведущий конструктор А. Г. Падей. Практически завершен сложный цикл работ по установке оборудования, разработанного в ИСЭ СО РАН, предназначенного для исследования физических процессов в сильноточной вакуумной дуге. — Был завершен монтаж электронной вакуумной камеры, в которой установлены электроды, один из которых является подвижным, а другой находится на изоляторе, — рассказывает Сергей Попов. — Сейчас уже начаты эксперименты, цель которых — изучение сильноточной вакуумной дуги, исследование спектральных характеристик излучения, особенностей катодных и анодных пятен. В лаборатории вакуумной электроники имеется опыт создания мощных установок такого класса, одна из них находится в Томске — в Национальном исследовательском Томском политехническом университете, в Энергетическом институте. Важно отметить, что во всем мире подобные устройства активно используются для создания вакуумных выключателей, работающих на электрических подстанциях. В целом ряде стран они уже полностью заменили масляные выключатели, которые ещё используются в России. При этом вакуумные выключатели имеют ряд серьёзных преимуществ: не требуют затрат на техническое обслуживание, не причиняют вреда экологии. Результат работы учёных находит свое применение и для практических приложений, и для фундаментальных исследований. Впереди — новые, очень интересные эксперименты по резонансной теневой диагностике атомного компонента плазмы анодного пятна. Ранее эта методика ещё никогда не применялась в условиях сильноточного вакуумного дугового разряда, и её внедрение позволит одновременно получать и количественные, и качественные характеристики изучаемого объекта. Наш корр. стр. 4 |