«Наука в Сибири» № 4 (2589) 25 января 2007 г. ИНСТИТУТУ ПРИСВОЕНО ИМЯ 26 декабря 2006 г. Президиум Российской академии наук постановил присвоить Институту физики полупроводников СО РАН имя академика Анатолия Васильевича Ржанова — выдающегося ученого, организатора и первого директора института. Академик  А. В. Ржанов — человек легендарной судьбы, фронтовик, воевавший с 1941 г. и неоднократно раненный в боях. После войны А. В. Ржанов успешно окончил аспирантуру Физического института РАН и, защитив кандидатскую диссертацию, получил задание заниматься полупроводниковой проблемой от Президента АН СССР академика С. И. Вавилова. А. В. Ржанов возглавлял одну из четырех групп, которые в 1953 г. создали первый отечественный полупроводниковый транзистор. В 1962 г. А. В. Ржанов принял приглашение М. А. Лаврентьева переехать в новосибирский Академгородок, где с группой своих сотрудников организовал Институт физики твердого тела и полупроводниковой электроники, в 1964 г. трансформировавшийся в Институт физики полупроводников. Основной тематикой ИФП  А. В. Ржанов определил развитие физики поверхности полупроводников и тонких пленок. Последующее развитие физики полупроводников блестяще подтвердило прозорливость решения А. В. Ржанова, поскольку основным объектом современной физики полупроводников являются системы пониженной размерности, создаваемые на атомно-чистых полупроводниковых поверхностях. Более того, в современных условиях исследование электронных и атомных процессов на поверхности полупроводниковых кристаллов приобретает огромное значение в связи с развитием наноэлектроники и полупроводниковых нанотехнологий. Именно благодаря правильности выбора А. В. Ржанова ИФП превратился в настоящее время в крупный исследовательский центр с широким фронтом работ в области современной физики полупроводников, физики конденсированного состояния, технологий полупроводниковой электроники. В этих областях институт является одним из ведущих в России и в мире. Наш корр. стр. 2