Copyright © СО РАН

СО РАН

 
     
 

Институт сенсорной микроэлектроники СО РАН, 2003 год


Научные направления:

  • 1. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ (период 2003-2006 гг.)

Описание научного результата:

Исследована чувствительность к водородсодержащим газам тонкопленочных структур состава In2O3—Ga2O3. Оптимизированы условия получения пленок и последующих термических обрабо ток с целью увеличения чувствительности датчиков при экспозиции в водородсодержащей среде (этанол) и повышения стабильности к условиям эксплуатации и хранения (рис.1).

Рис. 1. Относительное изменение сопротивления пленок In2O3—Ga2O3 от концентрации этанола (Тотж = 800 °С, рабочая температура датчика Траб = 350 °С, время отжига — 30 и 60 мин, время хранения — 3 мес.).





http://www-sbras.nsc.ru/win/sbras/rep/rep2003/tom1/fiz/fiz.html#9





[по направлениям] ||[по институтам] ||[по годам] ||[поиск] ||[содержание]

   
       

 

Разработано и поддерживается Институтом вычислительных технологий СО РАН