Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН) был создан в 1964 году на основе объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР и Института радиофизики и электроники СО АН СССР Постановлением Президиума АН СССР № 49 от 24 апреля 1964 года.

В 2003 г. Постановлением Президиума РАН от 1.07.03 г. № 224 Институт физики полупроводников Объединенного института физики полупроводников реорганизован в Институт физики полупроводников СО РАН путем присоединения к нему Института сенсорной микроэлектроники СО РАН в качестве филиала.

В 2005 г. Постановлением Президиума РАН от 29.11.05 г. № 274 к ИФП СО РАН присоединен Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники, который в настоящее время является филиалом ИФП СО РАН. В 2006 г. Постановлением Президиума РАН от 26.12.06 г. № 400 Институту присвоено имя академика А.В. Ржанова.

В 2007 г. Постановлением Президиума РАН от 18.12.07 г. № 274 Институт переименован в Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН.