Новосибирский государственный университет Факультет информационных технологий Современные проблемы информатики и вычислительной техники

А.М.Федотов

Персоны в коллекции "Современные проблемы информатики"

Роберт Нортон Нойс
12 декабря 1927 — 3 июня 1990

Основные достижения:

В 1956—1957 годах Нойс (Robert Norton Noyce) работал в Shockley Semiconductor Laboratory под руководством изобретателя транзистора Уильяма Шокли, а затем вместе с семью коллегами уволился и основал одну из первых фирм по производству кремниевых полупроводников — Fairchild Semiconductor. Работая в Fairchild Semiconductor, Нойс, практически одновременно с Джеком Килби из Texas Instruments, изобрел интегральную микросхему.

В 1968 году Нойс и его давний коллега Гордон Мур основали корпорацию Intel. Спустя два года они создали Intel 1103 — первую запоминающую микросхему DRAM, производимую в коммерческих масштабах. Компьютерная память на полупроводниковых микросхемах скоро вытеснила распространенную в то время память на магнитных сердечниках. Нойс также был руководителем проекта Intel по созданию первого микропроцессора (Intel 4004, выпущен в 1971 году). Вскоре корпорация Intel стала лидером по производству микропроцессоров.

Краткая биография:

Роберт Нортон Нойс (Robert Norton Noyce) — американский инженер, один из изобретателей интегральной схемы (1959), один из основателей Fairchild Semiconductor (1957), основатель, совместно с Гордоном Муром, корпорации Intel (1968).

В 1949 году Нойс окончил Гриннелл- колледж в Айове со степенью бакалавра, а в 1953 году — получил степень Ph.D. по физике в Массачусетском технологическом институте.

В 1988 году Нойс стал президентом корпорации Sematech, исследовательского консорциума, совместно финансируемого промышленным капиталом и правительством США с целью развития передовых технологий в американской полупроводниковой промышленности.

Ключевые термины:  микросхема;   Intel;   DRAM;   микропроцессор;   история ВТ;

Контекстный поиск: Задайте образец для поиска:

Федотов Анатолий Михайлович

НГУ ФИТ НГУ ИВТ СО РАН