Новосибирский государственный университетФакультет информационных технологий |
А.М.Федотов |
Благодаря забытому ныне физику Олегу Лосеву у СССР был шанс создать полупроводниковые технологии намного раньше, чем США.
В списке государств — лидеров в области полупроводниковых технологий Россия не значится. Направив основные финансовые и человеческие ресурсы на создание космической техники и разработку атомного оружия, руководители советского государства не сумели своевременно «откорректировать» научный бюджет таким образом, чтобы он пришел в соответствие с быстро менявшимися реалиями НТР.
Между тем
анализ истории науки однозначно
свидетельствует в пользу того, что при
более удачном стечении обстоятельств у
Советского Союза были отличные шансы
опередить остальной мир в этой
технологической гонке. В этом году
исполнилось восемьдесят лет со дня
создания первого в мире
полупроводникового прибора, усиливавшего
и генерировавшего электромагнитные
колебания. Автором этого важнейшего
изобретения был наш соотечественник,
девятнадцатилетний сотрудник
Нижегородской радиолаборатории Олег
Владимирович Лосев. Его многочисленные
открытия намного опередили время и, как
это, к сожалению, часто случалось в
истории науки, были практически забыты к
моменту начала бурного развития
полупроводниковой электроники.
Ссылка на адрес в репозитарии: Изобретение инженера Лосева
URL-адрес источника ресурса: Изобретение инженера Лосева
Ссылка на репозиторий DSpace: Изобретение инженера Лосева
Ссылки на персон, кому посвящена публикация:
Лосев Олег Владимирович
Ключевые термины: транзистор;
Федотов Анатолий Михайлович |
НГУ ФИТ НГУ ИВТ СО РАН |