Конференции ИВТ СО РАН


«Вычислительные и информационные технологии
в науке, технике и образовании»

Алматы, Казахстан, 6 – 10 октября 2004 года

Тезисы докладов


Статистическое моделирование нелинейной динамики переходных фоторезонансных процессов

Голубятников В.П., Макаров Е.В., Смирнов Г.И.

Институт математики СО РАН,
СО Международного института нелинейных исследований РАН

Представлены результаты математического моделирования статистической нелинейной динамики переходных фоторезонансных процессов, свойства которых проявляются схожим образом в плазме газового разряда или полупроводниковых структур. Разработанная статистическая модель переходных процессов в фоторезонансной плазме может использоваться в технологиях создания перспективных нелинейно-информационных систем.

Флуктуации числа затравочных электронов и различные случайные процессы во время их размножения обусловливают стохастическое поведение динамики нарастания концентрации электронов в фоторезонансной плазме. Для статистического анализа переходных процессов использовано уравнение Фоккера-Планка для функции распределения электронной концентрации с учетом процессов ионизации и рекомбинации. Отметим, что аналогичного типа уравнения использовались ранее при описании квантовых флуктуаций лазерной генерации и радиоизлучения.

Получены решения этого уравнения, отвечающие начальной и нелинейной стадиям процесса фотогенерации носителей заряда и выраженные через функцию Грина с помощью преобразований Лапласа. Так после подачи прямоугольного импульса возбуждения устанавливается асимптотическое состояние стационарной генерации с гауссовым распределением электронов. Выключение накачки сопровождается затуханием генерации и плавным переходом в экспоненциальное распределение при достаточно больших временах. Установлено, что по мере развития переходного процесса и приближения к стадии стационарного состояния поведение электронной концентрации становится все менее стохастичным.

С точки зрения практических приложений наибольший интерес представляют флуктуации времени нарастания электронной концентрации до некоторого выбранного уровня, которые характеризуются плотностью вероятности появления заданного количества электронов в определенном интервале времени. В предложенной статистической модели переходных процессов генерации показано, что для устранения флуктуаций концентрации электронов необходимо стабилизировать численность затравочных частиц до возбуждения генерации, а также на начальной стадии возбуждения. В случае возбуждения генерации импульсами с пологим передним фронтом картина нелинейной динамики электронной концентрации такова, что генерация в каждый последующий момент времени развивается на базе генерации в предыдущий момент с примерно дельта-образным начальным распределением. Естественно, что при этом флуктуации существенно уменьшаются. По этой же причине флуктуации времени срыва генерации гораздо меньше флуктуации времени ее нарастания.

Дополнительные материалы: ZIP (7 kb)
Примечание. Тезисы докладов публикуются в авторской редакции



Ваши комментарии
Обратная связь
[ICT SBRAS]
[Головная страница]
[Конференции]

© 1996-2000, Институт вычислительных технологий СО РАН, Новосибирск
© 1996-2000, Сибирское отделение Российской академии наук, Новосибирск