Информационная система "Конференции"



VI Всероссийская конференция молодых ученых по математическому моделированию и информационным технологиям (с участием иностранных ученых)

29-31 октября 2005 года, г. Кемерово, Россия

Тезисы докладов


математическое моделирование

Моделирование кривых намагничивания ансамблей наночастиц с комбинированной симметрией магнитной анизотропии

Смирнов С.И., Комогорцев С.В.

Красноярский Государственный Педагогический Университет (Красноярск),
Институт Физики СО РАН (Красноярск)

В последнее время значительное внимание исследователей обращено к магнитным наночастицам. Такие частицы в магнитном отношении делятся на два класса: суперпарамагнитные частицы (обычно с размерами от 1-10нм) и ферромагнитные (10-50нм). Последний класс представляет интерес для применений наночастиц в магнитной записи. Ему и посвящена эта работа.

Так как ферромагнитные наночастицы с размерами 10-50нм находятся в однодоменном состоянии и, как правило, образуют системы со случайно ориентированной магнитной анизотропией описание их кривых намагничивания строится на классической модели Стонера-Вольфарта (СВ).

Хорошо известны исследователям результаты полученные в модели СВ для частиц с одноосной и кубической анизотропией. Однако в реальном эксперименте следует ожидать более сложной ситуации. Так, например, наночастицы никеля, обладая ГЦК кристаллической решеткой характеризуются кубической магнитной анизотропией. В тоже время будучи подвергнуты одноосному растягивающему либо сжимающему напряжениям за счет магнитоупругого эффекта энергия магнитной анизотропии частицы будет иметь и одноосный (магнитоупругий) вклад. К такому же результату приведет и анизотропия формы частицы индуцирующая соответствующую магнитную анизотропию.

Задачей этой работы было изучить композиционный вариант модели, где каждая наночастица одновременно подвержена влиянию кубической кристаллографической магнитной анизотропии и случайно ориентированной одноосной магнитной анизотропии связанной, например, со случайно ориентированными механическими напряжениями.

В результате получен ряд расчетных кривых соответствующих различным вкладам одноосной и кубической анизотропии для принятой модели. Изучено изменение величин параметров петель гистерезиса: остаточной намагниченности Mr, коэрцитивной силы Hc, начальной восприимчивости, максимальной магнитной восприимчивости, площади петли гистерезиса. Оказалось, что переход от одноосной к кубической анизотропии не монотонен. Обсуждаются возможные причины этого эффекта.

Таким образом, сравнение модельных и экспериметальных кривых для наночастиц может быть использовано для получения новой информации об их магнитных константах.

Работа поддержана грантами РФФИ (грант № 04-02-16230); Фондом Правительственной Поддержки (грант № МК-1684.2004.2).

Примечание. Тезисы докладов публикуются в авторской редакции



Ваши комментарии
Обратная связь
[ICT SBRAS]
[Головная страница]
[Конференции]

© 1996-2005, Институт вычислительных технологий СО РАН, Новосибирск
© 1996-2005, Сибирское отделение Российской академии наук, Новосибирск