Математическое моделироваие
Адсорбция атомов металлов на металлических поверхностях уже давно привлекает внимание исследователей, но лишь в конце XX века были обнаружены новые виды адсорбции, такие как островковая, заместительная, активированная с более сложными взаимодействиями и реакциями поверхностных атомов металлов. В связи с этим возросла роль теоретического подхода к определению структурных и энергетических характеристик адсорбции и выявлению условий образования сложных адсорбционных структур и определению их свойств.
В данной работе в рамках метода функционала плотности осуществлена разработка обобщенной модели адсорбции атомов металлов, позволяющая адекватно описать большое многообразие адсорбционных структур, образующихся при заместительной и активированной типах адсорбции на подложках из простых и переходных металлов с различными ориентациями поверхностных граней. Осуществлен расчет энергии адсорбции атомов щелочных и переходных металлов и работы выхода электронов с металлических подложек с учетом градиентных поправок на неоднородность электронной плотности в межфазной области для кинетической и обменно-корреляционной энергий взаимодействия как второго (щелочные металлы), так и четвертого порядков (переходные металлы), а также поправок, связанных с ион-ионным и электрон-ионным взаимодействиями и смещениями ионных плоскостей в межфазной области раздела. Обсуждается образование различных адсорбционных структур из щелочных и переходных металлов в зависимости от температуры на основе сравнения значений их энергии адсорбции. Выявлено, что процессы перемешивания адатомов металлов с приповерхностными атомами подложки являются энергетически более выгодными по сравнению с монослойным покрытием и с увеличением температуры энергетически более выгодной становится адсорбционная структура типа "сандвича". Показано, что для всех типов покрытий адсорбаты из атомов щелочных металлов понижают величину работы выхода, в то время как адсорбция атомов переходных металлов может как повышать работу выхода электрона (валентность атомов адсорбата больше валентности атомов подложки), так и понижать ее (валентность атомов адсорбата меньше валентности атомов подложки).
Дополнительные материалы: | Полный текст доклада |
Ваши комментарии Обратная связь |
[Головная страница] [Конференции] |
© 1996-2000, Институт вычислительных технологий СО РАН, Новосибирск
© 1996-2000, Сибирское отделение Российской академии наук, Новосибирск