Конференции ИВТ СО РАН

VIII Всероссийская конференция молодых ученых по математическому моделированию и информационным технологиям

27 - 29 ноября 2007 года, Новосибирск

Тезисы докладов

Математическое моделироваие

Моделирование процесса ионной имплантации в многослойные структуры

Сальников А.

Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск)

Целью работы являлось моделирование процесса ионной имплантации, а конечным результатом – программный продукт, который можно использовать для расчета профилей внедренной примеси, например в виртуальной лабораторной работе. Ионная имплантация – один из важных технологических процессов в микроэлектронике. Это процесс внедрения в мишень ионизованных атомов с энергией, достаточной для проникновения в ее приповерхностные области. Успешное применение ионной имплантации определяется главным образом возможностью предсказания и управления электрическими и механическими свойствами формируемых элементов при заданных условиях имплантирования. В России первые работы по ионной имплантации выполнены в середине 50-х годов. В 1962 году Линдхрд, Шарф и Шиотт разрабатывают собственную теорию (ЛШШ), которая хорошо описывает процессы ионной имплантации. Согласно этой теории процесс ионной имплантации заключается в ионизации и ускорении ионов примеси, которые затем бомбардируют мишень. Проникая в кристаллическую структуру мишени, ион теряет энергию от столкновения с атомами мишени. Полный пробег иона обозначается R, а проекция на направление движения называется проецированным пробегом, и обозначается Rp. Для характеристики ионного легирования используется также величина отклонения проецированного пробега ΔRp. Пробег ионов зависит от типа ионов (легкий ион или тяжелый), и от энергии, приобретаемой им до акта столкновения. Теория позволяет рассчитать проецированный пробег и стандартное отклонение по известным типам ионов и мишени. Кроме того, имеется большое количество экспериментальных данных по пробегам, которые можно использовать.

Эта теория была взята за основу при моделировании процесса. Конкретная работа была ориентирована на ионную имплантацию в многослойные структуры. Этот случай требует небольшой доработки, был использован метод подбора доз, также хорошо освещенный в литературе. Одним из примеров применения легирования в многослойных структурах – задача самосовмещения стока, истока и затвора в МДП-транзисторах.

Примечание. Тезисы докладов публикуются в авторской редакции

Ваши комментарии
Обратная связь

[Головная страница]
[Конференции]