Конференции ИВТ СО РАН

Тезисы докладов

Математическое моделироваие

Современное микроэлектронное производство строится на основе концепции компьютерно-интегрированного производства. Развитие и использование математических моделей технологических процессов и создаваемых в результате их применения приборов является одной из основ данной концепции позволяет работать с контролируемыми объектами, будь то параметры отдельной технологической операции, электрофизические параметры слоев или параметры схемотехнической модели прибора на выходе производства. Область приборно-технологического моделирования, являющаяся неотъемлемой частью современного производства изделий микроэлектронной и микросистемной техники, представляет собой систему научных знаний и прикладных программных инструментов, позволяющих осуществлять полномасштабное моделирование технологических процессов и приборов, успешно решать широкий круг задач по разработке новых полупроводниковых приборов, оптимальных и устойчивых к разбросу параметров технологических маршрутов, повышать технологичность выпускаемых изделий и производства в целом.

Основной задачей математического моделирования является разработка новых и улучшение существующих математических моделей, адекватно описывающих тот или иной процесс.

Ионная имплантация является одним из ведущих технологических процессов при создании практически всех видов изделий микроэлектроники – от дискретных приборов до сверхбольших интегральных схем и микропроцессоров. Особое внимание в настоящее время уделяется вопросам компьютерного моделирования распределений ионно-имплантированных примесей при легировании многослойных и многомерных структур, поэтому рассмотрение материалистических моделей, описывающих распределения в подобных структурах, является задачей актуальной и очень важной.

Ионная имплантация – это процесс внедрения ионизированных атомов примеси с энергией, достаточной для проникновения ионов в поверхностные слои мишени.

В работе реализована программа, моделирующая процесс ионной имплантации в приближении двух параметров (нормального пробега Rp и среднеквадратичного отклонения (страгглинга) Rp) и в приближении трёх параметров ( + учёт поведения лёгких и тяжёлых ионов в твёрдом теле). Программный продукт позволяет пользователю выполнять следующие операции: задание параметров и режимов проведения технологического процесса ионной имплантации, получать концентрационные профили легирующей примеси, определять глубину залегания p-n-перехода, что существенно экономит время пользователя.

Примечание. Тезисы докладов публикуются в авторской редакции

Ваши комментарии Обратная связь

[Головная страница] [Конференции]

© 1996-2000, Институт вычислительных технологий СО РАН, Новосибирск
© 1996-2000, Сибирское отделение Российской академии наук, Новосибирск