Информационная система "Конференции"



Всероссийская конференция "Новые математические модели механики сплошных сред: построение и изучение", приуроченная к 90-летию академика Л. В. Овсянникова

Новосибирск, 23-28 апреля 2009 г.

Тезисы докладов


Математическое моделирование ударно волновых процессов в наночастицах методом молекулярной динамики

Киселев С.П.

Институт теоретической и прикладной механики СО РАН (Новосибирск)

В докладе представлены результаты математического моделирования на основе метода молекулярной динамики ударно - волновых процессов в нанопорошках. Рассмотрена оригинальная схема нагружения наночастиц. Наночастицы окружались сферическим поршнем, который разгонялся импульсом давления по направлению к наночастицам. После соударения поршня с поверхностью наночастицы, в ней возникала волна сжатия, которая распространялась к центру наночастицы. После ее отражения от центра наночастицы и выхода на поверхность, в наночастице возникали растягивающие напряжения. Использование данной схемы нагружения позволило изучить компактирование кластера, состоящего из четырех наночастиц меди и четырех наночастц молибдена, и разрушение возникшего компакта медь-молибден в волне разгрузки. Показано, что образование компакта происходит за счет атомов меди, которые заполняют все межпоровое пространство. Разрушение оюразовавшегося компакта происходит в меди в окрестности контактной границы медь - молибден. За счет взаимодействия атомов меди с атомами молибдена происходит упрочнение компакта. Изучено разрушение композитной наночастицы, представляющего собой сферическую медную наночастицу, в центре которой имеется сферическое включение молибдена. Показано, что разрушение происходит в меди в окрестности контактной границы путем зарождения, роста и слияния пор в трещину. Критичекое напряжение разрушения увеличивается с ростом скорости деформации и с уменьшением размера наночастицы (масштабный эффект). На основе модели вязкого роста пор и энергетического критерия разрушения получена формула, определяющая зависимость критического напряжения от радиуса наночастицы и скорости деформации. Значения критического напряжения, вычисленные по этой формуле, удовлетворительно согласуются с соответствующими значениями напряжения, полученными в численных расчетах. Работа выполнена при частичной финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (код проекта 08-01-00108-а) и гранта Президента Российской Федерации по государственной поддержке ведущих научных школ (НШ-4292.2008.1).

Примечание. Тезисы докладов публикуются в авторской редакции



Ваши комментарии
Обратная связь
[ICT SBRAS]
[Головная страница]
[Конференции]

© 1996-2000, Институт вычислительных технологий СО РАН, Новосибирск
© 1996-2000, Сибирское отделение Российской академии наук, Новосибирск
    Дата последней модификации: 06-Jul-2012 (11:52:45)