Конференции ИВТ СО РАН

MIT-2009
Международная конференция "Математические и информационные технологии"
(VIII конференция "Вычислительные и информационные технологии в науке, технике и образовании")

Копаоник, Сербия, 27 - 31 августа 2009 года;
Будва, Черногория, 31 августа - 5 сентября 2009 года

Тезисы докладов

A stochastic model of gamma-ray induced charge in silicon dioxide films of mos transistors

Odalović M.T., Petković D.M.

Prirodno - matematicki Fakultet,
Kosovska Mitrovica ()

In this paper a stochastic model of gamma-ray irradiation effects on density of induced charge in silicon dioxide films of MOS transistors is explained. In this model the we are assumed that both of irradiation traps creation and charge generation-recombination are stochastic processes. For estimating gamma-ray induced charges spatially distributed in silicon dioxide films Monte Carlo method was used. The developed model enables the gamma-ray induced threshold voltage shift determination as a function on gamma-ray doses. These results are compared with experimentally determined threshold voltage shift of gamma irradiated MOS transistors and satisfactory agreements are obtained.

Примечание. Тезисы докладов публикуются в авторской редакции

Ваши комментарии
Обратная связь

[Головная страница]
[Конференции]