Статистическое моделирование и методы Монте-Карло
Изучение механизмов формирования покрытий карбида кремния представляет собой актуальную задачу экспериментальной и вычислительной физики. Использование SiC зависит от размеров и политипов его микрокристаллической структуры. Численные модели флуктуационной, начальной, неравновесной стадии фазовых переходов первого рода разрабатываются в связи с оптимизацией процессов нанесения тонких пленок и наночастиц на поверхности. Математическая модель гетерогенной конденсации паров карбида кремния описывается квазилинейными уравнениями в частных производных. Данная задача решается с помощью численного решения соответствующей системы стохастических дифференциальных уравнений.
Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (проекты № 09-01-00798, № 11-01-00282).
Примечание. Тезисы докладов публикуются в авторской редакции
Ваши комментарии Обратная связь |
[Головная страница] [Конференции] |
© 1996-2000, Институт вычислительных технологий СО РАН, Новосибирск
© 1996-2000, Сибирское отделение Российской академии наук, Новосибирск
Дата последней модификации: 06-Jul-2012 (11:49:22)