Доклады новосибирских участников
Проведено численное моделирование в диффузионно-дрейфовом приближении переноса заряда через тонкие пленки аморфного нитрида кремния, широко применяемые в современной микроэлектронике. Впервые использовался точный расчет интегралов для термостимулированного туннелирования заряда из контактов в объем и для туннельного освобождения электронов и дырок, захваченных на ловушки. Расчеты показали, что используемые в настоящее время модели ионизации ловушек не позволяют одновременно получить согласие с экспериментом в высокотемпературной и низкотемпературной областях в диапазоне температур от 80 K до 500 K. Предложены возможные варианты развития модели.
Дополнительные материалы: | PDF (704 kb) |
Ваши комментарии Обратная связь |
[Головная страница] [Конференции] |
© 1996-2001, Институт вычислительных технологий СО РАН, Новосибирск
© 1996-2001, Сибирское отделение Российской академии наук, Новосибирск