Современные проблемы прикладной математики и механики: теория, эксперимент и практика

Международная конференция, посвященная 80-летию академика Н.Н.Яненко.
Новосибирск, Академгородок, 24 - 29 июня 2001 года.

Тезисы докладов


Доклады новосибирских участников

Моделирование переноса заряда в нитриде кремния

Мороков Ю.Н., Гриценко В.А., Шу Дж.Б.

Институт вычислительных технологий СО РАН (Новосибирск)

Проведено численное моделирование в диффузионно-дрейфовом приближении переноса заряда через тонкие пленки аморфного нитрида кремния, широко применяемые в современной микроэлектронике. Впервые использовался точный расчет интегралов для термостимулированного туннелирования заряда из контактов в объем и для туннельного освобождения электронов и дырок, захваченных на ловушки. Расчеты показали, что используемые в настоящее время модели ионизации ловушек не позволяют одновременно получить согласие с экспериментом в высокотемпературной и низкотемпературной областях в диапазоне температур от 80 K до 500 K. Предложены возможные варианты развития модели.

Дополнительные материалы: PDF (704 kb)
Примечание. Тезисы докладов публикуются в авторской редакции



Ваши комментарии
Обратная связь
[ICT SBRAS]
[Головная страница]
[Конференции]

© 1996-2001, Институт вычислительных технологий СО РАН, Новосибирск
© 1996-2001, Сибирское отделение Российской академии наук, Новосибирск