Информационная система "Конференции"



III Конференция молодых ученых СО РАН, посвященная М.А.Лаврентьеву.
Секция математики и информатики

1-3 декабря 2003 года, Новосибирск, Академгородок

Тезисы докладов


Численное молекулярно-динамическое моделирование геометрии и электронной структуры активных центров гемопротеинов

Краснов П.О., Романова Т.А., Кравченко О.В.

Институт вычислительного моделирования СО РАН (Красноярск)

Проведено численное молекулярно-динамическое исследование влияния температуры на электронную структуру комплексов железо-, кобальто-, марганце- и никелепротопорфиринов с молекулой кислорода, с молекулой оксида азота (II) и с атомом водорода в дистальном положении и аминокислотой гистидин в проксимальном. Данные комплексы моделировали активный центр гемопротеина.

Атомы в молекуле не находятся в равновесном положении, а колеблются около него. С увеличением температуры возрастает их кинетическая энергия, что приводит к увеличению амплитуды колебания. В связи с этим, разброс значений при экспериментальном определении геометрических параметров, обусловленный влиянием температуры, для длин химических связей может доходить до 7% и 8%, для валентных углов до 4% и 5%, при температурах 77К и 310К, соответственно.

Происходят значительные изменения энергий молекулярных состояний. Это приводит к появлению или снятию вырождений молекулярных орбиталей, а, следовательно, и к изменению их симметрии. Последнее обстоятельство должно приводить к изменению реакционной способности комплексов.

Увеличение ширины пиков в фотоэлектронных спектрах, обусловленное влиянием температуры, при 77К, должно доходить до 9%, а при 310К до 10%. Анализ парциальных плотностей состояний валентной области показал, что происходят значительные изменения вкладов атомных орбиталей в соответствующие молекулярные орбитали. Следовательно, меняется природа МО, что также влияет на химическую реакционноспособность.

При физиологической температуре 310К происходит изменение перекрываний атомных орбиталей металла и лиганда. Это приводит к изменению прочности химической связи Me-L.

Примечание. Тезисы докладов публикуются в авторской редакции



Ваши комментарии
Обратная связь
[ICT SBRAS]
[Головная страница]
[Конференции]

© 1996-2000, Институт вычислительных технологий СО РАН, Новосибирск
© 1996-2000, Сибирское отделение Российской академии наук, Новосибирск
    Дата последней модификации: 06-Jul-2012 (11:48:20)