Печатная версия
Архив / Поиск

Archives
Archives
Archiv

Редакция
и контакты

К 50-летию СО РАН
Фотогалерея
Приложения
Научные СМИ
Портал СО РАН

© «Наука в Сибири», 2019

Сайт разработан и поддерживается
Институтом вычислительных
технологий СО РАН

При перепечатке материалов
или использованиии
опубликованной
в «НВС» информации
ссылка на газету обязательна

Наука в Сибири Выходит с 4 июля 1961 г.
On-line версия: www.sbras.info | Новости | Архив c 1961 по текущий год (в формате pdf), упорядоченный по годам
 
в оглавлениеN 41 (2227) 22 октября 1999 г.

ОТ КВАНТОВОЙ ТОЧКИ -- К КВАНТОВОМУ КОМПЬЮТЕРУ

А.Двуреченский, заместитель председателя оргкомитета,
член программного комитета конференции,
доктор физико-математических наук.

Четвертая российская конференция по физике полупроводников (Полупроводники-99) состоится в Новосибирске с 25 по 29 октября. Этот форум ученых развивает традиции, заложенные предыдущими конференциями, которые проводились в Нижнем Новгороде, Зеленогорске, Москве с двухлетней периодичностью.

Организаторы конференции -- Отделение общей физики и астрономии РАН, Научный совет РАН по проблеме "Физика полупроводников", Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирский государственный университет, Новосибирский государственный технический университет, Томский государственный университет.

Выбор Новосибирска для проведения конференции обусловлен высоким уровнем развития современных полупроводниковых технологий, высоким экспериментальным и теоретическим уровнем фундаментальных исследований, а также возможностью участвовать в работе конференции большого числа специалистов, работающих в этом регионе.

В работе конференции принимают участие ученые из Москвы, Московской области, Санкт-Петербурга, Нижнего Новгорода, Екатеринбурга, Томска, отдельные ученые из Владивостока, Омска, Казани, Ижевска, Саратова и Махачкалы (более 120 иногородних участников), а также ученые Новосибирского научного центра и учебных организаций города.

Предполагается представить и обсудить более 300 докладов (устных и стендовых). Программный комитет заседал в Москве и вынужден был собираться несколько раз, поскольку количество присланных заявок заметно превышало разумные возможности включения докладов в программу конференции.

Одной из важных вех в становлении физики полупроводников явилось изобретение полупроводникового транзистора (1948г.), события, которое на многие десятилетия предопределило развитие науки о полупроводниках, ставших основной элементной базой полупроводниковой электроники. В то же время полупроводники и полупроводниковые соединения продолжают оставаться объектами для поиска и открытия новых фундаментальных явлений в физике твердого тела. Так, квантовый эффект Холла был открыт на действующем полупроводниковом приборе - полевом транзисторе. Одним из результатов этого открытия стало введение в 1990 году квантового стандарта Ома, одновременно с введением квантового стандарта Вольта, основанного на эффекте Джозефсона в слабо связанных сверхпроводниках.

Основные проблемы в изучении физических свойств полупроводников заключаются в определении параметров энергетического спектра равновесных и горячих элементарных возбуждений, их взаимодействия между собой и взаимодействия со светом в условиях внешних воздействий (электрическое и магнитное поля, давление, температура) в массивных образцах и низкоразмерных мезоскопических структурах.

Исследованию этих проблем для широкого класса полупроводниковых материалов и структур посвящены доклады, представленные на конференции. Физические свойства кремния и германия, которые наиболее широко используются в прикладных целях, традиционно остаются в поле зрения исследователей.

В последнее десятилетие особенно интенсивно проводятся исследования полупроводниковых квантоворазмерных структур -- квантовых ям, проволок, квантовых точек, создаваемых, на основе элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений A3B5, А2В6. Изменение параметров квантоворазмерных структур позволяет управлять энергетическим спектром элементарных возбуждений как электронных, так и фононных. Большинство докладов, представленных на конференции, связано именно с этой тематикой и охватывает весь спектр проводимых в настоящее время исследований: технология роста, методы диагностики и электронные свойства гетероструктур и сверхрешеток, систем с квантовыми ямами и квантовыми точками.

Создание совершенных полупроводниковых квантоворазмерных структур требует использования самых современных технологических методов, таких как молекулярно-лучевая эпитаксия, а также современных методов исследования -- сканирующей туннельной и атомно-силовой микроскопии. Этим темам также посвящены отдельные секции в работе конференции. Совеременная технология играет решающую роль в реализации тех особенностей физических свойств квантоворазмерных полупроводниковых структур и сверхрешеток на их основе, с которыми связываются надежды на создание полупроводниковой элементной базы электронных приборов и устройств новейшего поколения, а также на разработку нового поколения квантовых информационных сетей и создания квантового компьютера.

Наряду с результатами исследований фундаментальных физических свойств полупроводников, на конференции представлены доклады по полупроводниковым приборам, среди которых следует отметить фотоприемники, лазеры на основе структур с квантовыми ямами и квантовыми точками, светодиоды.

Сравнивая проблематику этой конференции с прошедшей в 1998 году в Иерусалиме очередной Международной конференции по физике полупроводников, можно утверждать, что она, как и следовало ожидать, в основных чертах совпадает. Вклад российских ученых достаточно весом, особенно в связи с развитием различных форм сотрудничества, в результате которых появились совместные работы российских ученых с исследователями ведущих в научном отношении зарубежных стран, и совместные публикации в международных журналах. Заметная часть докладов конференции "Полупроводники-99" выполнена в соавторстве с иностранными учеными.

стр. 

в оглавление

Версия для печати  
(постоянный адрес статьи) 

http://www.sbras.ru/HBC/hbc.phtml?8+161+1