КЛАССИЧЕСКИЙ ХАРАКТЕР
100 лет со дня рождения профессора Л.Н. Добрецова.
А. Асеев
12 ноября 2004 г. в большом актовом зале Физико-технического
института им Иоффе РАН состоялось торжественное совместное
заседание Ученых советов ФТИ им. Иоффе РАН и Санкт-Петербургского
государственного политехнического университета, посвященное
столетию со дня рождения профессора Леонтия Николаевича
Добрецова — выдающегося ученого, одного из основоположников эмиссионной
электроники, автора классических монографий и учебников в этой
области.
Открыл заседание научный руководитель ФТИ им. Иоффе РАН,
Нобелевский лауреат академик Ж. Алферов. В своем выступлении он
высоко оценил заслуги профессора Л. Добрецова в развитии
физической электроники и охарактеризовал его как принципиального
ученого, взыскательного учителя и, в то же время, исключительно
доброго и самоотверженного человека, воспитавшего большое
количество физиков — специалистов в этой и смежных областях
физики и техники. Всем памятны глубокие выступления и критические
замечания Леонтия Николаевича на семинарах, заседаниях ученых
советов, защитах диссертаций, в том числе на защите кандидатской
диссертации Ж. Алферова, философских семинарах.
С большим докладом, посвященном научной деятельности и жизни
Л. Добрецова выступила главный научный сотрудник ФТИ, д.ф.-м.н.
М. Гомоюнова — ближайшая сотрудница и ученица Леонтия Николаевича,
соавтор совместной с Л. Добрецовым монографии «Эмиссионная
электроника» (изд. Наука, Москва, 1966 г.). Она отметила, что
Л. Добрецов успешно сочетал проведение тонких физических
экспериментов в своей лаборатории в Физтехе с напряженной работой
на кафедре С.-ПбГПУ, которую он унаследовал от своего
учителя — академика П. Лукирского. Важной частью его деятельности являлась
совместная работа с предприятием «Светлана» — крупнейшим в СССР
производителем радиоламп и другой техники, использующей генерацию
электронных пучков в вакууме. Страстью Л. Добрецова являлись
путешествия по бескрайним просторам нашей страны от Средней Азии
до Камчатки, а также по зарубежью (Албания, Чехословакия и др.).
О большом вкладе Л. Добрецова в подготовку научных и инженерных
кадров страны рассказал профессор С.-ПбГПУ В. Кораблев. Он
отметил, в частности, большую роль школы Л. Добрецова в
формировании в послевоенный период мощной и передовой по тем
временам отечественной радиотехнической и электронной отраслей
промышленности с высококвалифицированным кадровым составом.
Многие из учеников Л. Добрецова успешно работают на кафедрах
С.-ПбГПУ, в других вузах и научных учреждениях России.
С рассказом о Л. Добрецове, как одном из ярких представителей
научной династии Келлей-Добрецовых, выступил его сын Николай
Добрецов, ныне академик, вице-президент РАН и председатель
Сибирского отделения РАН. Л. Добрецов был заботливым отцом своих
четырех детей и образцовым семьянином для многочисленных внуков и
правнуков, часть которых присутствовала на заседании ученого
совета. Как вспоминал Н. Добрецов, его глубоко поразили слова
отца о том, что не каждому суждено достичь высших вершин в
избранной профессии, но каждый способен стать лучшим воспитателем
для своих детей.
Выступивший на заседании член-корр. РАН А. Асеев, директор
Института физики полупроводников СО РАН, отметил классический
характер научных подходов Л. Добрецова и их актуальность при
разработке современной элементной базы для новейших систем
инфракрасной техники и техники ночного видения, использующих
внешний и внутренний фотоэффекты в полупроводниках. Развитые
Леонтием Николаевичем Добрецовым представления, несомненно, сыграют
важную роль при прогнозируемом развитии эмиссионной
наноэлектроники, использующей, в частности, эффект аномально
высокой эмиссионной способности углеродных нанотрубок и последние
достижения нанотехнологий по созданию твердотельных аналогов
эмиссионных приборов.
стр. 2
|
