Печатная версия
Архив / Поиск

Archives
Archives
Archiv

Редакция
и контакты

К 50-летию СО РАН
Фотогалерея
Приложения
Научные СМИ
Портал СО РАН

© «Наука в Сибири», 2019

Сайт разработан и поддерживается
Институтом вычислительных
технологий СО РАН

При перепечатке материалов
или использованиии
опубликованной
в «НВС» информации
ссылка на газету обязательна

Наука в Сибири Выходит с 4 июля 1961 г.
On-line версия: www.sbras.info | Новости | Архив c 1961 по текущий год (в формате pdf), упорядоченный по годам
 
в оглавлениеN 47 (2533) 2 декабря 2005 г.

ДЕЛОВОЙ ВИЗИТ В ИФП

18-го ноября академик Н. Добрецов посетил Институт физики полупроводников СО РАН.

Иллюстрация

Председателю СО РАН были продемонстрированы современные технологические подразделения института: участок выращивания монокристаллического кремния методом бестигельной зонной плавки и лаборатория получения эпитаксиальных структур кадмий-ртуть-теллур методом молекулярно-лучевой эпитаксии. В лаборатории используется оборудование, специально разработанное в институте.

Академик  Н. Добрецов ознакомился с экспозицией действующих образцов последних разработок института и КТИ прикладной микроэлектроники с участием малых предприятий при ИФП. Внимание руководителя Отделения привлекли, в частности, такие работы, как новая модификация медицинского тепловизора «СВИТ», устройство видеонаблюдения в УФ-диапазоне, акусто-электронная система определения позиции диагностирующих «снарядов» в нефтепроводах, система квантовой криптографии и высокочувствительный оптико-поляризационный тензодатчик.

В конференц-зале состоялась беседа с членами Ученого совета и Совета научной молодежи института.

Во время короткой видеопрезентации современных достижений института директор ИФП чл.-корр. РАН  А. Асеев особо выделил работы по исследованию квантового транспорта в низкоразмерных полупроводниковых структурах и работы в области когерентной оптики, уровень которых сравним с «нобелевским» — уровнем лучших мировых достижений в этих областях. Был представлен также широкий спектр специальных и прикладных разработок и обозначены проблемы в развитии инновационной деятельности для этого класса разработок.

Ак. Н. Добрецов проявил большой интерес к представленным результатам, отметив их высокий уровень, оригинальность и возможность практического применения в тех новых областях, которые обеспечивают масштабность освоения разработок института.

В своем выступлении и последующем содержательном диалоге с ведущими сотрудниками института, в том числе, молодыми, ак. Н. Добрецов подробно рассказал о ходе реформирования РАН, проблемах создания IT-технопарка в Академгородке и особой экономической зоны, задаче ускоренной подготовки молодых кадров для институтов Сибирского отделения. В заключение председатель Сибирского отделения отметил, что Институт физики полупроводников несомненно принадлежит к числу наиболее динамично развивающихся не только в рамках Объединенного ученого совета по физико-техническим наукам, но и в целом по Сибирскому отделению РАН.

Наш корр.

стр. 2

в оглавление

Версия для печати  
(постоянный адрес статьи) 

http://www.sbras.ru/HBC/hbc.phtml?5+356+1