Печатная версия
Архив / Поиск

Archives
Archives
Archiv

Редакция
и контакты

К 50-летию СО РАН
Фотогалерея
Приложения
Научные СМИ
Портал СО РАН

© «Наука в Сибири», 2019

Сайт разработан и поддерживается
Институтом вычислительных
технологий СО РАН

При перепечатке материалов
или использованиии
опубликованной
в «НВС» информации
ссылка на газету обязательна

Наука в Сибири Выходит с 4 июля 1961 г.
On-line версия: www.sbras.info | Новости | Архив c 1961 по текущий год (в формате pdf), упорядоченный по годам
 
в оглавлениеN 28-29 (2563-2564) 20 июля 2006 г.

КРЕМНИЙ-2006

Третье Российское совещание по росту кристаллов и пленок кремния и исследованию их физических свойств и структурного совершенства (совещание «Кремний-2006») было проведено в Красноярске с 4 по 6 июля 2006 года в соответствии с рекомендациями предыдущего совещания, состоявшегося в 2004 г. в Иркутске.

Иллюстрация

Совещание «Кремний-2006» было организовано Институтом физики им. Л. В. Киренского СО РАН при поддержке Научного совета РАН «Физико-химические основы материаловедения полупроводников», Научного совета РАН «Радиационная физика твердого тела», Красноярского научного центра Сибирского отделения РАН при финансовой поддержке со стороны Российского фонда фундаментальных исследований, ФГУП «Горнохимический комбинат», ФГУП «Красмаш», (оба — Красноярск), Красноярского научного центра СО РАН. В совещании приняло участие более 140 участников, представляющих ведущие академические институты, крупные вузы, научные центры, промышленные предприятия России, а также Белоруссии, Казахстана и Германии. Судя по представительности этих организаций, удалось достичь одну из главных целей совещания: собрать вместе представителей науки, образования, производственников и бизнесменов. В течение трех дней работы было представлено более ста докладов по актуальным направлениям современного материаловедения кремния; процессам получения совершенных монокристаллов и эпитаксиальных систем, структур кремний-на-изоляторе, микрокристаллических, аморфных и пористых слоев; разработке новых приборных структур; развитию методов и аппаратуры для выращивания и исследования кремния; получению кремния солнечного качества.

Как показали результаты обсуждения, Красноярск был не случайно выбран местом проведения совещания. Представители кремниевого производства знаменитого Горно-химического комбината сообщили о получении первых образцов поликристаллического кремния — основного материала для последующего выращивания монокристаллического кремния полупроводникового и солнечного качества. Важным представляется то обстоятельство, что в ходе данной работы получили проверку все основные технологические и инженерные подразделения завода полупроводникового кремния ГХК. Успешно развиваются работы по производству высокотехнологического оборудования для получения и обработки поли- и монокристаллического кремния на не менее знаменитом предприятии региона — Красноярском машиностроительном заводе. В Красноярском научном центре СО РАН проведена разработка конкурентоспособных автоматизированных систем измерения основных параметров пластин монокристаллического кремния. В числе других важных работ необходимо отметить пилотный проект получения мультикремния для солнечной энергетики из высокочистого рафинированного металлургического кремния, представленный Институтом геохимии СО РАН (г. Иркутск). Наметился устойчивый рост потребления ядерно-легированного монокристаллического кремния отечественными производителями полупроводниковых приборов силовой электроники (ОАО «Электровыпрямитель», г. Саранск, ЗАО «Протон-электротекс», г. Орел, ОАО «Силовая электроника Сибири», г. Новосибирск).

Участники совещания пришли к выводу, что в настоящее время создалась благоприятная мировая конъюнктура для развития производства кремния. В России сохранилась научная школа, есть наработки по совершенствованию основной технологии кремниевого передела — хлоридной, существуют заделы по ряду альтернативных технологий. Необходимо воспользоваться ситуацией для возрождения всего комплекса работ по исследованию, производству и применению кремния. В перспективе Россия должна производить 10-20% мирового объема полупроводникового кремния. Развитие кремниевого производства обеспечит России равноправное положение среди стран, где электроника является одним из высших приоритетов, и позволит отойти от ярко выраженной сырьевой направленности экономики. Напомним, что предприятия Сибири являются одними из основных производителей кремния т.н. металлургического качества с большим содержанием примесей, который экспортируется по цене около 2 долл. США за килограмм. Последующий хлорсилановый передел обеспечивает получение кремния полупроводникового качества с ценой на два порядка большей, а кремний в составе электронных чипов является одним из самых дорогих продуктов в истории человечества (с ценой около 20 млн. долларов за килограмм). Совещание «Кремний-2006» вновь подчеркнуло, что постоянно развивающееся на основе современных технологий производство полупроводникового кремния и приборов на его основе, предназначенных для использования в микро- и наноэлектронике, оптоэлектронике, солнечной энергетике и силовой электронике, является не только важнейшим компонентом технологической и производственной базы страны, но и важнейшим и существенным элементом государственной, технологической и энергетической безопасности.

Участники совещания подчеркнули, что Россия и Сибирский регион, в частности, располагает комплексом уникальных возможностей для производства кремния высшего качества и приборных структур на его основе, начиная от чистого сырья (чистых кварцитов) до научно-технических разработок, обеспечивающих получение поликристаллического, мультикристаллического, монокристаллического, аморфного, пористого кремния и приборных структур на основе кремния. В связи с этим, решением совещания рекомендованы для государственных и частных инвестиций и для включения в государственные научно-технические программы на 2007-2012 гг. следующие важнейшие для инновационного развития экономики России научно-технические направления исследований и разработок:

— развитие методов получения поликристаллического кремния высокой чистоты и поддержка его производства;

— развитие методов получения мультикристаллического кремния с заданными физическими свойствами для солнечной энергетики, создание масштабного производства мультикремния и производства эффективных дешевых кремниевых преобразователей солнечного излучения на его основе;

— развитие методов получения и организация производства высокосовершенных монокристаллов кремния большого диаметра для нано- и микроэлектроники, силовой электроники и создание приборов кремниевой силовой электроники на основе высокочистого кремния;

— развитие методов получения квантовых наноструктур, фотонно-кристаллических структур, магнитных наногетероструктур и создание кремниевых (в том числе на основе системы кремний-германий) наноэлектронных квантовых приборов.

Перечисленные научно-технические направления исследований и разработок являются наряду с исследованиями по получению легированных бездислокационных монокристаллов кремния большого диаметра с пониженной концентрацией микродефектов, получению гомо- и гетероэпитаксиальных слоев и пленок на кремнии (в том числе слоев с квантовыми точками), получению моноизотопного и ядерно-легированного кремния — важнейшими направлениями научных исследований и разработок по кремниевой проблеме в целом на ближайшее время.

Рекомендации совещания будут представлены Правительству России, Министерству промышленности и энергетики РФ, Министерству образования и науки РФ, Министерству обороны РФ, Федеральному агентству по атомной энергии, Российской академии наук с предложением поддержать изложенные выше важнейшие направления исследований и разработок по кремниевой проблеме. Намечено провести в 2007 г. четвертую Российскую конференцию по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения кремния и приборных структур на его основе («Кремний-2007») в Москве, а в 2008 г. провести очередное, четвертое Российское совещание по росту кристаллов и пленок кремния и исследованию их физических свойств и структурного совершенства («Кремний-2008») в Новосибирске на базе институтов Сибирского отделения РАН: Физики полупроводников и Неорганической химии. Полный текст рекомендаций совещания будет опубликован в журнале «Известия вузов. Материалы электронной техники» и размещен на сайте Сибирского отделения РАН.

Важным фактором успешной работы совещания явились многочисленные контакты между участниками, чему способствовало проведение Круглого стола и запоминающаяся экскурсия по Красноярскому морю. Успех совещания явился также результатом громадной подготовительной работы Оргкомитета, Программного комитета, рабочей группы Красноярского научного центра СО РАН во главе с академиком В. Шабановым, коллективов Института физики им. Л. В. Киренского СО РАН, СКТБ «Наука» и ООО «НПФ «Электрон» при содействии администрации Красноярского края и Красноярского государственного университета.

Наш корр.

стр. 5

в оглавление

Версия для печати  
(постоянный адрес статьи) 

http://www.sbras.ru/HBC/hbc.phtml?15+382+1