Печатная версия
Архив / Поиск

Archives
Archives
Archiv

Редакция
и контакты

К 50-летию СО РАН
Фотогалерея
Приложения
Научные СМИ
Портал СО РАН

© «Наука в Сибири», 2019

Сайт разработан и поддерживается
Институтом вычислительных
технологий СО РАН

При перепечатке материалов
или использованиии
опубликованной
в «НВС» информации
ссылка на газету обязательна

Наука в Сибири Выходит с 4 июля 1961 г.
On-line версия: www.sbras.info | Новости | Архив c 1961 по текущий год (в формате pdf), упорядоченный по годам
 
в оглавлениеN 7 (2592) 15 февраля 2007 г.

НАУЧНАЯ СЕССИЯ ДЛЯ СТУДЕНТОВ

Первые гости Института физики полупроводников СО РАН стали прибывать 8 февраля с 9 часов утра. Холл и коридоры главного корпуса наполнились молодыми и веселыми голосами студентов. До начала научной сессии они посетили «Музей науки и технологий» института, где была подготовлена специальная экспозиция. Здесь же все желающие с помощью сотрудников библиотеки смогли получить по экземпляру сборника трудов сотрудников института.

Н. Придачин,
ученый секретарь по выставочной работе, к.ф.-м.н.

Иллюстрация

В соответствии с программой, в 10 часов в конференц-зале началась научно-образовательная сессия. Открывая ее, чл.-корр. РАН  И. Неизвестный отметил, что среди присутствующих гостей в зале находятся студенты НГТУ второго курса (30 человек) вновь открытой специальности «наноэлектроника», а также студенты лицея при НГТУ (54 человека).

Ведущие ученые рассказали студентам о результатах последних работ. С большим вниманием было воспринято сообщение д.ф.-м.н. В. Попова о работах и тенденциях в области силовой интеллектуальной электроники и технических тенденциях и решениях по рациональному расходованию электроэнергии. Заведующий лабораторией тепловизионных систем д.ф.-м.н. Г. Курышев рассказал о принципах работы и устройстве тепловизора и пригласил желающих в лабораторию.

В перерыве студенты смогли обсудить полученную информацию с докладчиками за чашкой чая.

Затем с большим вниманием было заслушано иллюстрированное сообщение д.ф.-м.н. В. Принца о трехмерных объектах наноэлектроники и их необычных свойствах.

Ученый секретарь новосибирского филиала ИФП — Конструкторско-технологического института прикладной микроэлектроники к.ф.-м.н. Э. Демьянов рассказал о приборах, созданных в коллективе КТИ ПМ: техническом тепловизоре, прицелах и камерах ночного видения, приборах для наблюдения объектов в различных областях спектра от ультрафиолетового до далекого инфракрасного. С интересом были восприняты примеры практического применения этих приборов.

Заключительным сообщением научной сессии явился рассказ председателя Совета молодых ученых ИФП к.ф.-м.н. Д. Щеглова о социальной молодежной политике института. Он рассказал о мерах по поддержке молодых исследователей как в профессиональной сфере, так и в бытовой.

Отличительной чертой этого года явилось то, что среди гостей института на Днях науки были и представители промышленных предприятий города. Среди них — молодые специалисты ОАО «Катод», с которым мы давно поддерживаем контакты, сотрудники ОАО «Институт прикладной физики».

День науки завершился интересной экскурсией — Совет молодых ученых организовал для студентов посещение научных лабораторий.

В тот же день, 8 февраля, директор Института физики полупроводников академик А. Асеев выступил в Московском институте электронной техники (технический университет), г. Зеленоград, с докладом «Полупроводниковые наноструктуры: квантовые эффекты, электронный транспорт и однофотонное излучение». Выступление академика стало основным мероприятием Дней науки в МИЭТ. Затем директор ИФП СО РАН посетил технопарк МИЭТ — составную часть технико-внедренческой зоны г. Зеленограда.

стр. 3

в оглавление

Версия для печати  
(постоянный адрес статьи) 

http://www.sbras.ru/HBC/hbc.phtml?4+407+1