Печатная версия
Архив / Поиск

Archives
Archives
Archiv

О газете
Редакция
и контакты

Подписка на «НВС»
Прайс-лист
на объявления и рекламу

К 50-летию СО РАН
Фотогалерея
Приложения
Научные СМИ
Портал СО РАН

© «Наука в Сибири», 2017

Сайт разработан и поддерживается
Институтом вычислительных
технологий СО РАН

При перепечатке материалов
или использованиии
опубликованной
в «НВС» информации
ссылка на газету обязательна

Наука в Сибири Выходит с 4 июля 1961 г.
On-line версия: www.sbras.info | Новости
 
в оглавлениеN 48 (2683) 11 декабря 2008 г.

МЕЖДУНАРОДНЫЙ ФОРУМ
ПО НАНОТЕХНОЛОГИЯМ

С 3 по 5 декабря в Экспоцентре на Краснопресненской набережной Москвы состоялся первый в России международный форум по нанотехнологиям, организованный государственной корпорацией по нанотехнологиям, известной ныне под обновленным брендом «Роснано».

А.Л. Асеев
академик, Председатель СО РАН

Иллюстрация

Мероприятие включало проведение научно-технологических и деловых секций при активном привлечении бизнес-сообщества и представителей административных структур. Для научного сотрудника, привыкшего к выверенному и строгому порядку проведения научных мероприятий, было много необычного в организации форума и атмосфере, царившей внутри огромного здания делового центра — несколько тысяч участников, громадное количество выносных дисплеев, музыка в перерывах, цветовые эффекты, огромное число обслуживающего персонала.

Прежде всего, следует отметить высокий уровень представительства официальных лиц: на открытии форума выступили вице-премьер С. Иванов, министр экономического развития Э. Набиуллина, генеральный директор «Роснано» А. Чубайс, присутствовали министр образования и науки А. Фурсенко, высокопоставленные представители Совета Федерации, Государственной Думы и др. Научное сообщество было представлено выступлениями академика Ж. Алферова и чл.-корр. РАН М. Ковальчука. Все выступления отличал деловой стиль и наполнение конкретикой. Было заявлено, что альтернативы переходу от сырьевой направленности экономики к инновационной у России нет. На этот переход отведено четыре года, по истечении которых инновационная активность должна вырасти в разы. К 2020 г. доля инновационных предприятий должна составить 45 % вместо 13 % в настоящее время. Общий объем государственных и частных инвестиций в развитие нанотехнологий и наноиндустрии в России достигнет 10 млрд долларов США, что сравнимо с объемом инвестиций в этот сектор в США и Евросоюзе.

Также неформально и в деловом стиле прошел круглый стол, модератором которого был известный телеведущий С. Брилев. В работе стола приняли участие представители крупного российского бизнеса А. Мордашев, «Северсталь» и М. Прохоров, «Норникель», директора российских нанотехнологических компаний В. Авдеев, «Унихимтек» и В. Быков, «НТ-МДТ», представители компаний «Интел», «Самсунг» и «Эрликон». Люди, которых принято у нас называть олигархами, уверяли присутствующих в своей решительности работать в области нанотехнологий и в готовности вкладывать в их развитие крупные средства.

Весьма впечатляющей была выставка, на которой было представлено громадное количество разработок, претендующих быть нанотехнологическими. В основном демонстрировались различные материалы: от деталей с упрочненным поверхностным слоем до керамик и медицинских имплантантов. Необходимо отметить такие действующие экспонаты как атомно-силовые микроскопы «НТ-МДТ» и установки для выращивания эпитаксиальных слоев нитридов галлия и алюминия производства ЗАО «Научное и технологическое оборудование» (Санкт-Петербург). По обилию экспонатов, в том числе от регионов и провинциальных вузов, можно заключить, что идея освоения наномира прочно овладела широкими массами научной общественности, представителями бизнеса и администрацией краев и областей необъятной России.

На весьма высоком научном уровне прошли заседания научно-технологических секций. В частности, на секции по наноэлектронике, одним из ведущих которой был автор настоящей публикации, состоялись впечатляющие доклады по созданию широкополосных лазеров на квантовых точках (А. Ковш, Россия/США), разработке нового поколения чипов с глубоко суб-0,1 мкм размером элементов (Д. Никонов, «Интел»), по лазерам зеленого диапазона с электронной накачкой (П. Копьев, Санкт-Петербург), наноструктурам с гигантским магниторезистивным эффектом (В. Устинов, Екатеринбург), поверхностным структурам на кремнии (А. Саранин, Владивосток) и т.д.

Организацию и проведение форума следует считать несомненной удачей корпорации «Роснано». Есть надежда, что корпорации удастся преодолеть извечные российские проблемы, сопутствующие любому крупному делу (и зачастую губящие его): необоснованные амбиции участников, бескомпромиссность ведомственных противостояний, большое количество желающих лишь имитировать реальную деятельность, пустозвонство, которое сейчас принято называть пиаром и т.д. Надежду на это вселяют также последние решения корпорации по поддержке масштабного производства светодиодов и изделий СВЧ-электроники на полупроводниковых наногетероструктурах, новых видов высокопрочных пластиков на основе углеродных структур, нанофильтров для очистки крови и др.

стр. 1-2

в оглавление

Версия для печати  
(постоянный адрес статьи) 

http://www.sbras.ru/HBC/hbc.phtml?2+483+1