Печатная версия
Архив / Поиск

Archives
Archives
Archiv

Редакция
и контакты

К 50-летию СО РАН
Фотогалерея
Приложения
Научные СМИ
Портал СО РАН

© «Наука в Сибири», 2024

Сайт разработан
Институтом вычислительных
технологий СО РАН

При перепечатке материалов
или использованиии
опубликованной
в «НВС» информации
ссылка на газету обязательна

Наука в Сибири Выходит с 4 июля 1961 г.
On-line версия: www.sbras.info | Архив c 1961 по текущий год (в формате pdf), упорядоченный по годам см. здесь
 
в оглавлениеN 40 (2725) 8 октября 2009 г.

ПРЕМИЯ
ЗА МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВУЮ
ЭПИТАКСИЮ

Академик Леонид Келдыш и профессор Альфред И Чо получили премию в области нанотехнологий Rusnanoprise, присужденную им за теоретическое обоснование и практическую разработку метода молекулярно-лучевой эпитаксии. Символ премии — хрустальный шар — вручил ученым вице-премьер России Сергей Иванов на открытии Международного форума по нанотехнологиям, состоявшемся в Москве 6 октября.

Академик Леонид Вениаминович Келдыш, работающий в Физическом институте им. П. Н. Лебедева (ФИАН), в 1962 году опубликовал первые теоретические работы, предсказавшие перспективность применения периодических полупроводниковых гетероструктур для электроники и оптоэлектроники. Через несколько лет сотрудник «Bell Laboratories» профессор Альфред И Чо разработал основы такой технологии, получившей название «молекулярно-лучевая эпитаксия».

Премию также получила компания RIBER (Франция) — за создание оборудования для молекулярно-лучевой эпитаксии.

стр. 9

в оглавление

Версия для печати  
(постоянный адрес статьи) 

http://www.sbras.ru/HBC/hbc.phtml?15+519+1