Печатная версия
Архив / Поиск

Archives
Archives
Archiv

Редакция
и контакты

К 50-летию СО РАН
Фотогалерея
Приложения
Научные СМИ
Портал СО РАН

© «Наука в Сибири», 2019

Сайт разработан и поддерживается
Институтом вычислительных
технологий СО РАН

При перепечатке материалов
или использованиии
опубликованной
в «НВС» информации
ссылка на газету обязательна

Наука в Сибири Выходит с 4 июля 1961 г.
On-line версия: www.sbras.info | Новости | Архив c 1961 по текущий год (в формате pdf), упорядоченный по годам
 
в оглавлениеN 1-2 (2736-2737) 14 января 2010 г.

НОВОГОДНИЙ СЕМИНАР

В один из последних дней уходящего 2009 года в Институте физики полупроводников состоялся традиционный новогодний семинар «Физика конденсированного состояния 2009 — в мире, России, ИФП». Семинар организован по инициативе чл.-корр. РАН А. В. Чаплика и проф. Д. Х. Квона и проходит уже в течение ряда последних лет.

А.В. Каламейцев, к.ф.-м.н., ученый секретарь ИФП СО РАН

На нем в свободной, иногда шутливой форме, но в рамках жесткого регламента, ведущие специалисты ИФП и других организаций делятся впечатлениями от успехов физики твердого тела, физики и технологии полупроводников в истекающем году. Как обычно, семинар проходит в переполненном конференц-зале института, а выступления вызывают живую реакцию присутствующих.

Иллюстрация

Среди лучших мировых достижений названы создание нанолазера (спазера) на плазмонных колебаниях в квантовой точке золота (д.ф.-м.н. В. Л. Альперович), использование полупроводниковых квантовых точек для генерации терагерцового излучения (чл.-корр. РАН А. В. Двуреченский), разработка трехкаскадных кремниевых солнечных элементов с эффективностью 30 % (академик А. Л. Асеев), получение приборов электроники на графене (д.ф.-м.н. В. П. Попов). Д.ф.-м.н. В. А. Гриценко рассказал об освоении мировыми производителями электроники проектной нормы кремниевых интегральных схем 45 нм. Предсказывается дальнейший быстрый прогресс в этой области с выходом на проектные нормы до 5,5 нм уже через 20–30 лет. Чл.-корр. РАН А. В. Латышев продемонстрировал рекордные данные по получению поверхностей кремния с абсолютной гладкостью в атомном масштабе и сообщил о получении Центром коллективного пользования «Наноструктуры» аттестата компетенции «Наносертифика» от ГК «Роснано». Большой интерес присутствующих вызвало сообщение д.ф.-м.н. В. Я. Принца о перспективах получения массивов графеновых приборов, микро- и нанорезонаторов, газовых сенсоров на базе введенного в строй в 2009 г. технологического участка штамповой нанолитографии (наноимпринт-технология). Д.ф.-м.н. И. И. Рябцев представил последние результаты по реализации логических квантовых элементов на основе «запутанных» состояний холодных нейтральных атомов. Оживление в зале вызвало сообщение к.ф.-м.н. А. В. Ненашева, в котором был предложен простой подход для объяснений сложных явлений телепортации квантовых состояний — «квантовая механика для детского сада». Чл.-корр. РАН А. В. Чаплик рассказал о том, как самые передовые полупроводниковые нанотехнологии могут быть использованы в демонстрации проявлений фундаментальных принципов квантовой механики. В выступлении академика А. Л. Асеева было отмечено успешное проведение институтом в 2009 г. VII Российской конференции по физике полупроводников и сохранение в 2009 г., несмотря на экономический кризис, высокого уровня внебюджетных доходов института.

Представленные доклады будят воображение и ставят перед нами новые задачи, а коллектив института с оптимизмом и интересом встречает новый 2010 год.

стр. 2

в оглавление

Версия для печати  
(постоянный адрес статьи) 

http://www.sbras.ru/HBC/hbc.phtml?21+529+1