Печатная версия
Архив / Поиск

Archives
Archives
Archiv

Редакция
и контакты

К 50-летию СО РАН
Фотогалерея
Приложения
Научные СМИ
Портал СО РАН

© «Наука в Сибири», 2024

Сайт разработан
Институтом вычислительных
технологий СО РАН

При перепечатке материалов
или использованиии
опубликованной
в «НВС» информации
ссылка на газету обязательна

Наука в Сибири Выходит с 4 июля 1961 г.
On-line версия: www.sbras.info | Архив c 1961 по текущий год (в формате pdf), упорядоченный по годам см. здесь
 
в оглавлениеN 39 (2874) 4 октября 2012 г.

«МЫ ОТСТАЛИ, НО НЕ НАВСЕГДА!»

На отраслевой научно-практической конференции «Состояние и перспективы развития отечественной микроэлектроники» было оглашено решение о создании нового завода на базе трех новосибирских предприятий. Планируется, что перспективный кластер станет использовать разработки ряда институтов СО РАН.

Е. Пустолякова, ЦОС СО РАН

Иллюстрация

«На базе трёх структур Новосибирска, которые входят в холдинг «Росэлектроника» — ОАО «НПП «Восток», Новосибирский завод полупроводниковых приборов с особым конструкторским бюро, ОАО «Новосибирский завод радиодеталей „Оксид“ — будет организован новый завод», — сообщил председатель СО РАН академик Александр Леонидович Асеев.

Площадки этих предприятий в центре города закроют, а производство «с чистого листа», как пояснил генеральный директор ОАО «Российская электроника» Андрей Владимирович Зверев, расположится не более чем в одном километре от новосибирского Академгородка.

«Основная мысль состоит в том, чтобы с самого начала использовать разработки Сибирского отделения РАН», — подчеркнул А. Л. Асеев. В качестве тех научных организаций, чьи разработки уже готовы к внедрению, были названы Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова, Институт химии твёрдого тела и механохимии (батареи и конденсаторы), Институт физики прочности и материаловедения (г. Томск, различные плёночные материалы), Институт химии и химических технологий (г. Красноярск, получение редкоземельных элементов). «Безусловно, в работе будут участвовать Институт автоматики и электрометрии, Институт лазерной физики, Институт неорганической химии им. А. В. Николаева, Новосибирский институт органической химии им. Н. Н. Ворожцова, Институт вычислительной математики и математической геофизики, — добавил председатель СО РАН. — Успех предприятия будет зависеть от того, насколько энергично мы будем трудиться, и как быстро разработки пойдут на рынок. Начальные инвестиции на строительство нового завода составят два миллиарда рублей, а предполагаемая стоимость выпускаемой продукции — пять миллиардов в год. Словом, сюда, как мы и планировали, приходит большая промышленность».

Специализация упомянутых новосибирских предприятий в основном сохранится, но речь также идёт и о налаживании производства новых продуктов, в частности, предназначенных для систем энергосбережения, об элементной основе для электронной техники. Если говорить о работе на оборонно-промышленный комплекс страны, то задача номер один — компонентная база. «В этом мы серьёзно отстали, но не навсегда, — подчеркнул академик А. Л. Асеев. — И то, что в этой области создаётся в институтах новосибирского Академгородка, получает высокую оценку».

Александр Леонидович также напомнил о намерении создать Центр фундаментальных исследований и разработок в интересах оборонной безопасности. «Это необходимо, чтобы институты СО РАН могли полнокровно участвовать в федеральных целевых программах по элементно-компонентной базе, в программах развития оборонно-промышленного комплекса, работать в рамках госзаказов по развитию вооружений», — отметил А. Л. Асеев. Тем более, как пояснил академик, восемь институтов Сибирского отделения включены в сводный реестр организаций ОПК, три из них вплотную занимаются микро- и радиоэлектроникой. Создание такого центра, по мнению председателя СО РАН, «сильно облегчило бы решение тех сложных задач, которые стоят перед отраслью, и существенно сократило бы путь от научных разработок до их практического применения».

Необходимо отметить, что динамика в области развития российской микроэлектроники, несмотря на мировой кризис, позитивна. Об этом сказал в своем выступлении на конференции директор Департамента радиоэлектронной промышленности Минпромторга РФ Александр Сергеевич Якунин. «У нас нет ни одного предприятия, которое бы снизило объёмы производства по итогам первого полугодия 2012 года», — заявил он. Однако о полном возрождении отрасли говорить ещё рано: по словам Александра Якунина, мы отстаем от зарубежных производителей на одно-два поколения. Впрочем, как считает А. С. Якунин, разработка государственной программы по развитию электронной и радиоэлектронной промышленности, чётко сформулированная стратегия, дополнительные нормативные условия, устойчивое финансирование и, наконец, политика министерства — всё это должно привести успешному развитию обсуждаемой области.

Фото В. Новикова

стр. 3

в оглавление

Версия для печати  
(постоянный адрес статьи) 

http://www.sbras.ru/HBC/hbc.phtml?7+650+1