Печатная версия
Архив / Поиск

Archives
Archives
Archiv

Редакция
и контакты

К 50-летию СО РАН
Фотогалерея
Приложения
Научные СМИ
Портал СО РАН

© «Наука в Сибири», 2024

Сайт разработан
Институтом вычислительных
технологий СО РАН

При перепечатке материалов
или использованиии
опубликованной
в «НВС» информации
ссылка на газету обязательна

Наука в Сибири Выходит с 4 июля 1961 г.
On-line версия: www.sbras.info | Архив c 1961 по текущий год (в формате pdf), упорядоченный по годам см. здесь
 
в оглавлениеN 17 (2253) 28 апреля 2000 г.

ОТКРЫТА МЕМОРИАЛЬНАЯ ДОСКА

С.Лучинин,
к.ф.-м.н., ученый секретарь
Объединенного института
физики полупроводников.

20 апреля у главного корпуса Института физики полупроводников состоялось торжественное открытие мемориальной доски, посвященной памяти члена-корреспондента Российской академии наук Константина Константиновича Свиташева.

На митинге, посвященном открытию мемориальной доски, кроме многочисленных сотрудников института, присутствовали председатель Сибирского отделения академик Н.Добрецов, первый вице-президент РАН академик Г.Месяц, главный ученый секретарь Сибирского отделения член-корреспондент В.Фомин, представители мэрии г.Новосибирска, участники Общего собрания СО РАН из других регионов Сибири, директора и ведущие сотрудники институтов физико-технического профиля, а также друзья и родственники Константина Константиновича.

Митинг открыл директор института д.ф.-м.н. А.Асеев. Затем с краткими речами, посвященными памяти К.К.Свиташева, выступили: директор Конструкторско-технологического института прикладной микроэлектроники д.ф.-м.н. В.Овсюк, академик Н.Добрецов, директор департамента и вице-мэр Новосибирска, доктор социологических наук Г.Пошевнев, вдова Константина Константиновича, Светлана Николаевна Свиташева.

Выступавшие отметили огромный вклад К.К.Свиташева в развитие Института физики полупроводников, который благодаря его усилиям стал одним из ведущих научных учреждений в России, а научные результаты, достигнутые в нем, получили мировое признание.

В выступлениях прозвучала высокая оценка его деятельности в качестве заместителя председателя Сибирского отделения, курирующего разработки СО РАН прикладного и оборонного значения; его научные заслуги в развитии эллипсометрии и организации промышленного выпуска в нашей стране эллипсометров, предназначенных для прецизионного контроля и измерения характеристик поверхности полупроводниковых структур; в создании базовых технологий получения новых материалов и структур для инфракрасной техники и полупроводниковых электронно-оптических преобразователей.

Особо была подчеркнута роль К.К.Свиташева в решении острейшей общероссийской проблемы создания технологии получения сверхчистого монокристаллического кремния -- основы микро- и наноэлектроники двадцать первого века.

Участники митинга возложили к мемориальной доске цветы.

стр. 

в оглавление

Версия для печати  
(постоянный адрес статьи) 

http://www.sbras.ru/HBC/hbc.phtml?26+98+1