Конференции ИВТ СО РАН



VIII Всероссийская конференция молодых ученых по математическому моделированию и информационным технологиям

27 - 29 ноября 2007 года, Новосибирск

Тезисы докладов


Математическое моделироваие

Геометрическое моделирование роста двух кристаллов на подложке

Бреднихина А.Ю.

Новосибирский государственный университет (Новосибирск)

В последнее время большое внимание уделяется росту кристаллов. Особенно востребованными являются монокристаллы с определенными физическими и химическими свойствами, например, кремний. Для их получения используются различные методики выращивания [1]. В большинстве случаев выращенные кристаллы не удовлетворяют требуемым свойствам по различным причинам: дефекты, сростки, двойники и т.д. В случае двойников или сростков можно выделить индивид с определенными свойствами, но только если полностью известна структура сростка. Это порождает широкий класс задач для моделирования.

В литературе модель роста для одного кристалла, когда соотношения между скоростями роста граней постоянны и когда грани вырастают целиком, называется поверхностно гладкой [2]. Она позволяет построить геометрическую модель роста. Исследования данной модели, ее модификации для учета изменения условий роста проводились неоднократно [3], например, работы J. Prywer [4, 5], посвященные исследованию изменений граней в процессе роста, в которых также изложена геометрическая модель роста одиночного кристалла.

Данная работа посвящена дальнейшему исследованию модели поверхностно гладкого роста, а именно: для случая совместного роста двух кристаллов (и, возможно, сростка) на подложке без возможности возникновения новых граней. В исследованной литературе подобных работ найдено не было. В основе данной работы лежит геометрическое моделирование взаимодействия кристаллов при срастании, а именно изменение формы кристаллов при возникновении срастания. Основной задачей является построение поверхности срастания для дальнейшего использования модели в задачах визуализации.

Работа выполнена при частичной финансовой поддержке РФФИ по гранту № 06 07-89216а.

Литература:
1. Ichiro Sunagawa. Crystals: Growth, Morphology and Perfection / Cambridge University Press – 2004.
2. Ю.К. Егоров-Тисменко. Кристаллография и кристаллохимия / М: Университет – 2005. Стр. 221-235.
3. J. Prywer. On the crystal geometry influence on the growth of fast-growing surfaces / Journal of Physics and Chemistry of Solids, том 63, выпуск 3. Изд-во Elsevier – 2002. Стр. 491-499.
4. J. Prywer. Study on the kinetic conditions corresponding to the growth of crystals of different morphologies / Journal of Physics Condensed Matter, том 12, выпуск 28. Изд-во Elsevier – 2000. Стр. 6271-6286.

Дополнительные материалы: Полный текст доклада
Примечание. Тезисы докладов публикуются в авторской редакции



Ваши комментарии
Обратная связь
[ICT SBRAS]
[Головная страница]
[Конференции]

© 1996-2000, Институт вычислительных технологий СО РАН, Новосибирск
© 1996-2000, Сибирское отделение Российской академии наук, Новосибирск